低能离子束沉积制备GaAs:Gd的研究
| Data(s) |
08/12/2004
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|---|---|
| Resumo |
对室温条件下用低能离子束沉积得到的 Ga As∶ Gd样品 ,借助 X射线衍射 (XRD)和高分辨 X射线衍射 (HR-XRD)进行了结构分析 ,结果表明没有出现新的衍射峰 ,并且摇摆曲线的形状与 Gd的注入计量密切相关 .运用 X光电子能谱仪对比分析了 Gd注入后 ,衬底中主要元素 Ga2 p和 As3d的化学位移 ,以及不同计量的样品中注入的Gd4 d芯能级束缚能的变化 ,并分析了铁磁性产生的可能原因 . 国家自然科学基金 (批准号 :60 1760 0 1) |
| Identificador | |
| Idioma(s) |
中文 |
| Fonte |
半导体学报.2004,25(12):1658-1661 |
| Palavras-Chave | #GaAs∶Gd #X射线衍射 #X光电子能谱 |
| Tipo |
期刊论文 |
