离子束外延制备GaAs:Gd薄膜
| Data(s) |
25/06/2004
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| Resumo |
室温条件下,用低能离子束外延制备了GaAs∶Gd薄膜,X射线衍射(XRD)结果表明除了GaAs衬底峰没有发现其它新相的衍射峰,并借助于高分辨X射线衍射(HR XRD)进一步分析了晶格常数的变化特点。俄歇电子能谱(AES)分析了样品表面的成分,及元素随深度的分布规律,在60nm深处元素的相对含量发生明显改变,运用原子力显微镜(AFM)揭示了样品表面的形貌特点。 国家自然科学基金资助项目(60176001) 国家重大基础研究计划资助项目(G20000365和G2002CB311905) |
| Identificador | |
| Idioma(s) |
中文 |
| Fonte |
功能材料.2004(3):336-337 |
| Palavras-Chave | #GaAs∶Gd薄膜 #低能离子束外延 #GaAs衬底 |
| Tipo |
期刊论文 |
