强激光辐照下集成电路Si片的椭圆偏振光研究
| Data(s) |
1982
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|---|---|
| Resumo |
<正> 用强激光辐照的方法对集成电路用的离子注入Si进行退火是近几年大力研究的一个问题。至今为止绝大多数的激光退火都是采用红宝石、YAG、氩离子等波长较短的激光器。实验虽已证实CO_2激光的退火效果完全可与其他激光比美,然而研究者甚少,且基本上限于最后结果的观测。激光作为电磁波,其趋肤深度 |
| Identificador | |
| Idioma(s) |
中文 |
| Fonte |
中国激光.1982(5):82 |
| Palavras-Chave | #Si片 #椭圆偏振光 #强激光 #辐照时间 #激光退火 #集成电路 #样片 #激光辐照 #离子注入 |
| Tipo |
期刊论文 |
