铁磁/半导体异质结材料MnSb/Si的物理气相沉积生长


Autoria(s): 彭长涛; 陈诺夫; 张富强; 林兰英
Data(s)

08/05/2003

Resumo

采用一种新的生长铁磁 /半导体异质结材料的方法——物理气相沉积方法生长了一种铁磁 /半导体异质结材料 Mn Sb/Si.对所获得的样品进行特征 X射线能谱分析表明 Mn和 Sb在 Si衬底上的沉积速率相近 ,它们的原子百分数之比接近 1∶ 1.X射线衍射分析发现薄膜中形成了 Mn Sb相 ,样品在室温下测出磁滞回线也从侧面验证了存在 Mn Sb相 .用原子力显微镜对样品的表面进行观察 ,发现 Mn Sb呈有规则形状的小晶粒状 ,晶粒大小比较均匀 ,尺寸大多数在 5 0 0 nm左右 .

Identificador

http://dspace.imech.ac.cn/handle/311007/42108

http://www.irgrid.ac.cn/handle/1471x/6387

Idioma(s)

中文

Fonte

半导体学报.2003,24(5):494-498

Palavras-Chave #铁磁/半导体异质结 #物理气相沉积 #MnSb
Tipo

期刊论文