188 resultados para Real-coded GA


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中科院基金,国家自然科学基金,国家攀登计划

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利用分子束外延技术和S-K生长模式,系统研究了InAs/GaAs材料体系应变自组装量子点的形成和演化。研制出激射波长λ≈960nm,条宽100μnm,腔长800μm的In(Ga)As/GaAs量子点激光器

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集成光电子学国家重点实验室基金,国家863计划,国家自然科学基金,中科院项目

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于2010-11-23批量导入

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国家自然科学基金

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用注入Ga离子GaAs/AlGaAs量子阱在快速热退火中大大加快了异质结界面的互扩散,表现在PL光谱中量子陆峰值能量有30~90meV的兰移.发现兰移大小同注入损伤程度、退火的温度及时间有关.

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用MOCVD在(100)、GSMBE在(100)和(111)B GaAs上生长了GaInP外延层.PL测试表明,(100)衬底上GaIn PL 峰的能量比计算的带隙分别小43(GSMBE生长)和104meV(M(CVD生长).用Kurtz等人的模型对MOCVD和GSMBE生长的GaInP中有序度的不同进行了解释.并讨论了衬底晶向对GaInP中有序程度的影响.

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