In_xGa_(1-x)As/InP���变多量子阱P-i-N结构的GSMBE生长及X射线双晶衍射研究

国家863计划

Zn扩散工艺在降低VCSEL p���DBR串联电阻中的应用

于2010-11-23批量导入

有序Ga（0.5）In（0.5）P���致发光的研究

国家自然科学基金

MOCVD和GSMBE生长Ga（0.5）In（0.5）P 外延层中有序结构的研究

用MOCVD在(100)、GSMBE在(100)和(111)B GaAs上生长了GaInP���延层.PL测试表明,(100)衬底上GaIn PL 峰的能量比计算的带隙分别小43(GSMBE生长)和104meV(M(CVD生长).用Kurtz等人的模型对MOCVD和GSMBE生长的GaInP���有序度的不同进行了解释.并讨论了衬底晶向对GaInP���有序程度的影响.

自发有序Ga（0.5）In（0.5）P���金的静压光致发光研究

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自发有序Ga（0.5）In（0.5）P���金的喇曼光谱研究

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p���Si（1-x）Gex应变层中重掺杂禁带窄变的计算

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[（CdSe）m（ZnSe）n]p-ZnSe多量子阱中的多声子散射

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非对称耦合双阱P-I-N结构的光伏谱研究

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1.5μmInGaAsP/InP P���衬底隐埋新月型（PBC）结构激光器

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