MBE高掺Be p-GaAs中Eg＋△0等高于带边的发光

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Autoria(s): 胡天斗; 许继宗; 梁基本; 庄蔚华

Data(s)	1989
Identificador	http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/20573 http://www.irgrid.ac.cn/handle/1471x/104924
Idioma(s)	中文
Fonte	胡天斗;许继宗;梁基本;庄蔚华.MBE高掺Be p-GaAs中Eg＋△0等高于带边的发光,半导体学报,1989,10(3):222
Palavras-Chave	#光电子学
Tipo	期刊论文