1.3μm Si-Based MOEMS Optical Tunable Filter with a Tuning Range of 90nm

Optical filters capable of single control parameter-based wide tuning are implemented and studied. A prototype surface micromachined 1.3μm Si-based MOEMS (micro-opto-electro-mechanical-systems) tunable filter exhibits a continuous and large tuning range of 90 nm at 50 V tuning voltage. The filter can be integrated with Si-based photodetector in a low-cost component for coarse wavelength division multiplexing systems operating in the 1.3μm band.

SOI Waveguides Fabricated by Wet-Etching Method

SOI waveguides fabricated by wet-etching method are demonstrated. The single mode waveguide and 1×2 3dB BBI splitter are analyzed and designed by three dimensional beam propagation method to correct the error of effective index method and guided mode method. The devices are fabricated. Excellent performances, such as low propagation loss of -1.37dB/cm, low excess of -2.2dB, and good uniformity of 0.3dB, are achieved.

电吸收调制器和DFB激光器集成器件的测量

提出了一种测量电吸收调制器和激光器集成器件芯片散射参数的新方法。根据电吸收调制器和封装寄生参数的等效电路模型，对测量的反射系数进行拟合，得到封装寄生参数和电吸收调制器的等效电路元件的参数值。通过分析发现测试封装寄生参数对电吸收调制器的测试结果有很大影响。去除了封装寄生参数的影响后，得到了调制器的反射和传输参数的真实频响特性。

1.55μm Fabry-Perot Thermo-Optical Tunable Filter with amorphous-Si as Cavity

A 1.55μm Fabry-Perot (F-P) thermo-optical tunable filter is fabricated. The cavity is made of amorphous silicon (a-Si) layer grown by electron-beam evaporation technique. Due to the excellent thermo-optical property of a-Si, the refractive index of the F-P cavity will be changed by heating; the transmittance resonant peak will therefore shift substantially. The measured tuning range is 12nm, FWHM (full-width-at-half-maximum) of the transmission peak is 9nm, and heating efficiency is 0.1K/mW. The large FWHM is mainly due to the non-ideal coating deposition and mirror undulation. Possible improvements to increase the efficiency of heating are suggested.

在解复用模块设计中有效折射率变化的研究

研究了基于SOI（silicon-on-insulator）材料的阵列波导光栅（AWG）分波器件，给出了此器件材料色散的数值拟合公式，进而利用BPM方法研究了材料色散脊型波导结构变化和器件制做中刻蚀深度误差对波导有效折射率和波分复用模块性能的影响。结果表明，刻蚀深度误差对模块性能优劣起关键作用。

Measurement of Cavity Loss and Quasi-Fermi-Level Separation for Fabry-Perot Semiconductor Lasers

A fitting process is used to measure the cavity loss and the quasi-Fermi-level separation for Fabry- Perot semiconductor lasers. From the amplified spontaneous emission (ASE) spectrum, the gain spectrum and single-pass ASE obtained by the Cassidy method are applied in the fitting process. For a 1550nm quantum well InGaAsP ridge waveguide laser, the cavity loss of about ～24cm~(-1) is obtained.

Si基高速为OEIC光接收机芯片的研究

Si基光电子集成（OEIC）光接收机在光通信系统接入网、光互连、光存储等方面有着广泛的应用前景。本文综述Si基OEIC光接收芯片的研究现状，分析了其发展趋势，探讨了进一步提高性能的途径。

10*10nGaAsP/InP阵列波导光栅器件的研制

研制了脊形波导结构的10*10InGaAsP/InP阵列波导光栅器件（AWG），并采用掺饵光纤放大器（EDFA）作宽带光源测量了AWG的近场图以及分光特性。

线性TSM和TRL校准方法中方程的选择

本文分析了校准方程的关系，提出对于互易的测试夹具，使用一个传输标准得到的四个线性方程可以用同时用于校准计算。在这个关系的基础上，讨论了TSM(thru-short-match)和TRL(thru-reflect-line)方法中的方程选择。实验和分析表明不同的选择会导致不同精度的结果，校准精度可以通过利用已建立的关系和合适地选择方程得以提高。已建立的理论也可应用于TOM和LRL方法。

集成化光上下路复用器的研究进展

密集波分复用（DWDM）已经成为光纤通信的主要发展方向，光上下路分插复用器（OADM）作为WDM网络中的关键技术，它的优劣将直接影响通信网络的性能。侧重于从器件的角度对OADM的功能和发展现状进行介绍，并对其构成的关键器件的发展进行了概述。

光网络中关键性光子集成器件的研究进展

从高速率大容量光纤网络体系基本功能构架（即信息的超大容量传输、灵活的上下载路分插复用、快速的交换共享和高效经济的路由选择）的需求出发，指出光子集成是实现上述功能构架的关键硬件，包括高速响应的集成激光源、波导光栅阵列密集波分复用器、窄带响应集成光电探测器、路由选择的波长变换器、快速响应光开关矩阵以及低损耗多址波导分束器等，并对发展趋向作出评论。

GaNAs/GaAs量子阱的静压光致发光研究

在15K和0-9GPa静压范围下测量了GaN0.015As0.985/GaAs量子阱的光致发光谱。观察到了GaNAs阱和GaAs垒的发光，发现GaNAs阱发光峰随压力的变化比GaAs垒发光峰要小很多。当压力超过2.5GPa后还观察到了与GaAs中的N等电子陷阱有关的一组新发光峰。用二能级模型及测得的GaAs带边和N等电子能级的压力行为计算了GaNAs发光峰随压力的变化，但计算结果与实验结果相差甚大，表明二能级模型并不安全适用。对观察到的GaNAs发光峰的强度和半宽随压力的变化也进行了简短讨论。

半导体量子器件物理讲座-第七讲 半导体异质结光电探测器

光电探测器是一类用于接收光波并转变为电信号的专门器件。文章描述了PIN光电二极管、雪崩光电二极管、MSM（金属-半导体-金属）光电二极管的器件结构和工作原理，并对它们的响应度、噪声、带宽等特性进行了讨论。这类器件已在光通信、光信息处理等许多系统中得到广泛的应用。

一种新型SOI Mach-Zehnder干涉型电光调制器的设计

在超紧缩双曲锥形3 dB多模干涉耦合器的基础上，设计了一种新的Silicon-on-insulator (SOI) Mach-Zehnder干涉型电光调制器。与传统的Y分支器相比，双曲锥形3 dB耦合器的制作容差大，而长度缩短了近30％，使得整个器件的尺寸大幅减小。调制区采用横向注入的PIN结构，模拟结果表明

镜面起伏对1.55 μm Si基MEMS光滤波器的影响

用传输矩阵方法，在简化的光学模型基础上，分别讨论了分布式Bragg反射镜DBR（Distributed Bragg Reflector）的生长精度及镜面起伏对1.55 μm Si基MEMS（Micro-Electro-Mechanical-System）可调谐光滤波器透射谱的影响。计算表明