在解复用模块设计中有效折射率变化的研究
| Data(s) |
2003
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|---|---|
| Resumo |
研究了基于SOI（silicon-on-insulator）材料的阵列波导光栅（AWG）分波器件，给出了此器件材料色散的数值拟合公式，进而利用BPM方法研究了材料色散脊型波导结构变化和器件制做中刻蚀深度误差对波导有效折射率和波分复用模块性能的影响。结果表明，刻蚀深度误差对模块性能优劣起关键作用。 研究了基于SOI（silicon-on-insulator）材料的阵列波导光栅（AWG）分波器件，给出了此器件材料色散的数值拟合公式，进而利用BPM方法研究了材料色散脊型波导结构变化和器件制做中刻蚀深度误差对波导有效折射率和波分复用模块性能的影响。结果表明，刻蚀深度误差对模块性能优劣起关键作用。 于2010-11-23批量导入 zhangdi于2010-11-23 13:07:27导入数据到SEMI-IR的IR Made available in DSpace on 2010-11-23T05:07:27Z (GMT). No. of bitstreams: 1 4951.pdf: 223611 bytes, checksum: 7baeb7ee987820ecf14b4051e9b70b64 (MD5) Previous issue date: 2003 国家自然科学基金重大课题资助（9 1 4 3）,国家重点基础研究发展规划资助项目（G2 366 2） 中科院半导体所 国家自然科学基金重大课题资助（9 1 4 3）,国家重点基础研究发展规划资助项目（G2 366 2） |
| Identificador | |
| Idioma(s) |
中文 |
| Fonte |
邱海军;刘育梁;李芳;贺月娇;田珂珂;辛红丽.在解复用模块设计中有效折射率变化的研究,光电子·激光,2003,14(11):1168-1170 |
| Palavras-Chave | #光电子学 |
| Tipo |
期刊论文 |
