一种新型SOI Mach-Zehnder干涉型电光调制器的设计
| Data(s) |
2003
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|---|---|
| Resumo |
在超紧缩双曲锥形3 dB多模干涉耦合器的基础上，设计了一种新的Silicon-on-insulator (SOI) Mach-Zehnder干涉型电光调制器。与传统的Y分支器相比，双曲锥形3 dB耦合器的制作容差大，而长度缩短了近30％，使得整个器件的尺寸大幅减小。调制区采用横向注入的PIN结构，模拟结果表明 国家自然科学重大基金（6999 54 ，6989626 ）,“九七三”（G2 366）资助项目 |
| Identificador | |
| Idioma(s) |
中文 |
| Fonte |
严清峰;余金中.一种新型SOI Mach-Zehnder干涉型电光调制器的设计,光子学报,2003,32(5):555-558 |
| Palavras-Chave | #光电子学 |
| Tipo |
期刊论文 |
