1.3μm低阈值InGaAsP/InP应变补偿MQW激光器的LP-MOCVD生长

报道了用低压金属有机物化学气相淀积(LP-MOCVD)方法外延生长InGaAsP/InP应变补偿多量子阱结构。用此材料制备的掩埋异质结(BH)条形结构多量子阱激光器具有极低阈值电流4～6mA。20～40℃时特征温度T_0高达67K，室温下外量子效率为0.3mW/mA。

低阈值1.3μm InGaAsP/InP应变补偿多量子阱DFB激光器LP-MOCVD生长

报道了用低压－金属有机化学气相淀积(LP-MOCVD)方法制作1.3μm应变补偿多量子阱结构材料。X射线双晶衍射摇摆曲线可清晰地看到±4级卫星峰和卫星峰间的Pendellosong条纹。整个有源区的平均应变量几乎为零。用掩埋异质结(BH)条形工艺制备的含一级光栅的DFB激光器室温下阈值电流2～4mA,外量子效率0.33mW/mA,线性输出光功率达30mW,边模抑制比(SMSR)大于35dB。20～40℃下的特征温度T_0为67K。

1.3μm InGaAsP/InP应变多量子阱部分增益耦合DFB激光器

在国内首次报道了采用直接刻蚀有源区技术在应变多量子阱有源区结构基础上制作了1.3μm InGaAsP/InP部分增益耦合DFB激光器，器件采用全MOVPE生长，阈值电流10mA,边模抑制比(SMSR)大于35dB,在端面未镀膜情况下器件单纵模成品率较高。

LP-MOVPE生长的低阈值1.3μm InGaAsP/InP 压、张应变交替 MQW 激光器特性

国内首次报道了LP-MOVPE法生长高质量的高、张应变交替InGaAsP多量子阱结构的研制过程及其材料的高精度X-ray双晶摇摆衍射曲线和荧光光谱特性表征。经过双腔面镀增透射膜后，其TE模与TM模自发发射谱光强差为3dBm，呈现偏振补偿特性。

LP-MOVPE生长的1.3μmInGaAsP/InP张压应变交替MQW特性

于2010-11-23批量导入

新型结构的1.3μm GexSi（1-x）/Si MQW 波导探测器的优化设计

首次提出了一种新型的环形1.3μm Ge_xSi_(1-x)/Si波导探测器结构.器件的主体由3μm宽环形波导构成.器件的输入端是8μm宽的波导.这两部分通过劈形波导过渡连接.各部分经过优化设计,可以同时实现高的耦合效率和高内量子效率.对于器件的材料结构、电学和光学特性进行了仔细的分析与设计.结果表明,优化设计的器件其外量子效率可达28%,比已经报道的直波导探测器的外量子效率提高2～3倍.而上升下降时间仍然保持在110ps左右.

三端1.3μm InGaAsP/Inp双区共腔激光器

于2010-11-23批量导入

High performance 1.55 mu m InGaAsP/InP strained layer quantum well laser diodes fabricated by MOCVD overgrowth method

High performance uncooled 1.55 mu m InGaAsP/InP strained layer quantum well (SL-QW) lasers grown by low pressure metal organic chemical vapor deposition (LP-MOCVD) were reported in this paper. Whole MOCVD over growth method were applied in this work. The threshold currents of 5mA and the highest lasing temperature of 122 degrees C were obtained.

用1-苯基-3-甲基-4-苯甲酰基-5-吡唑啉酮萃取~(46)Sc的研究

用1-苯基-3-甲基-4-苯甲酰基-5-吡唑啉酮(PMBP)做萃取剂,氯仿和环己烷为稀释剂,观察了在HCl溶液46Sc的溶剂萃取行为。实验结果表明,从10-3~10-2mol/L的HCl溶液中用PMBP-氯仿(或环己烷)能有效地萃取46Sc,萃取率可达95%以上。另外,对PMBP从HCl溶液中萃取46Sc和234Th的结果也做了比较,结果表明,通过控制水溶液中HCl的浓度,能实现234Th与46Sc的分离。

1-苯基-3-甲基-4-苯甲酰基-5-吡唑啉酮和磷酸三丁脂协同萃取镭的研究

用1-苯基-3-甲基-4-苯甲酰基-5-吡唑啉酮(PMBP)为萃取剂,苯为稀释剂,从pH5的水相中萃取船224Ra,发现224Ra的萃取效率非常低。若往PMBP中加入少量的磷酸三丁脂(TBP),则会极大地提高镭的萃取效率,这说明TBP对PMBP萃取镭有显著的协同萃取效应。完成了萃取时间和反萃时间对224Ra萃取效率的影响以及224Ra萃取效率与TBP量之间的依赖关系等条件实验。

用1-苯基-3-甲基-4-苯甲酰基-5-吡唑啉酮从硝酸介质中萃取钪

用1-苯基-3-甲基-4-苯甲酰基-5-吡唑啉酮(PMBP)做萃取剂研究了从HNO_3介质中痕量钪的溶剂萃取行为。发现在很低的酸度下,PMBP几乎可以定量地萃取痕量的钪。同时,也讨论了用PMBP从~(18)O离子辐照过的铀靶溶液中萃取分离钍时钪的沾污。

1-苯基-3-甲基-4-苯甲酰基-5-吡唑啉酮(PMBP)萃取钍流程的改进

在用PMBP(1 苯基 3 甲基 4 苯甲酰基 5 吡唑啉酮 )从 14MeV中子照射过的天然U靶溶液中萃取Th流程的基础上 ,将萃取介质改为HNO3溶液 ,并将单次萃取 反萃改为两次萃取 反萃 ;在反萃溶液中加入I- 载体和NaNO2溶液 ,在Fe(OH) 3沉淀溶液中加入Br- 载体。用改进后的流程从 6 0MeV/u18O离子轰击天然U的HNO3溶液中分离Th ,从制得的Th样品的γ射线谱可以看出 ,该流程能去除绝大部分产物元素 ,特别是能完全去除溴和碘

用1-苯基-3-甲基-4-苯甲酰基-5-吡唑啉酮从硝酸中萃取痕量钍

用1-苯基-3-甲基-4-苯甲酰基-5-吡唑啉酮(PMBP)为萃取剂,~(234)Th作示踪剂,完成了在硝酸介质中痕量钍溶剂萃取行为的研究。在~(234)Th萃取效率与酸度、萃取剂浓度、平衡时间等依赖关系的条件实验的基础上,获得了萃取钍的最佳条件。使用改进的PMBP萃取钍的流程,从~(18)O离子辐照过的铀靶中分离钍,钍样品的γ射线单谱显示绝大部分反应产物和大量铀的去除是满意的。

Double ionization of helium in collision with 20-500-keV/amu Cq+ and Oq+ (q=1-3) ions

Target ionization and projectile charge changing were investigated for 20-500 keV/u Cq+, Oq++He (q=1-3) collisions. Double- to single-ionization ratios R-21 of helium associated with no projectile charge change (direct ionization), single-electron capture, and single-electron loss were measured. The cross-section ratio R-21 depends strongly on the collision velocity v, the projectile charge state q, and the outgoing reaction channel. Meanwhile, a model extended from our previous work [J. X. Shao, X. M. Chen, and B. W. Ding, Phys. Rev. A 75, 012701 (2007)] is presented to interpret the above-mentioned dependences. Good agreement is found between the model and the experimental data.