铁体系催化丁二烯聚合基本规律的研究

较为详尽地研究了新型催化体系：Fe(naph)_2-AlR_3-卤化物（I）体系催化丁二烯聚合的基本规律。开发了一类新型配位体：卤化物－Lewis酸配位体。研究了不同的卤化物，不同的烷基铝，不同的催化剂配比以及聚合温度、聚合时间等诸因素对体系（I）催化丁二烯的活性，所得取合物的分子量以及微观结构的影响。研究了Fe(naph)_2-AlR_3-Phen(II)三组份系和Fe(naph)_2-AlR_3-Phen-卤化物（III）四组份体系催化丁二烯的聚合特性。发现体系（II）有着很高的催化活性。体系（III）则具有更高的催化活性。证实Lewis酸、碱配体相互组合后体系活性可以更高。卤化物除了能提高体系的催化活性以外，还能显著降低所得聚合物的分子量。考察了温度对（II），（III）两体系催化活性的影响。发现在较高温度下，二体系的活性中心都是不稳定的，但体系（III）对温度的敏感性较低，表明卤化物增加了活性中心的稳定性。此外，还考察了不同的加料方式对体系（III）催化活性的影响。发现加料方式的不同可以显著影响体系的催化活性。初步表征了Fe(naph)_2-Al(i-Bu)_3-Phen-AllylCl体系所得聚合物硫化胶的物理机械性能。发现即使在分子量稍大的情况F，由于其分子量分布较宽，仍具有优良的物理性能。此胶充油后，性能亦很优良。与同类型的FeCl_3-AlR_3-Phen-AllylCl~([1])体系相比，此体系还具有更高的催化活性，聚合物含有较低的反式－1，4含量。研究了不同催化体系催化剂的紫外一可见光谱。发现对于体系（II）在530毫微米处的吸收，对于体系(III)在510毫微米处的吸收能基本代表各自的活性中心特征吸收。测定了铁系催化剂的顺磁共振光谱。确定了不管起始所用的铁化合物是二价还是三价，当与Phen及卤化物或其他配体组合之后，其活性中心中铁的价态都是二价的。在此基础上，进而提出了铁体系催化丁二烯的聚合机理，并初步描述了体系活性中心的结构。

冠醚修饰电极及其在分析化学中的应用

本论文较系统地研究了Naf:on聚合物薄膜冠醚修饰电极阳极溶出伏安法在分析中的应用。首次将Naf:on薄膜冠醚类化合物修饰电极应用于铊、银和铅三种离子的测定，得到了高灵敏度的分析方法亦用于实际样品测定。用涂层法制备了Naf:on聚合物薄膜冠醚（二环已基18－冠－6）化学修饰电极，用这种修饰电极测定金属离子的高灵敏度来源于将Naf:on对大阳离子的强离子交换能力、冠醚类化合物络合金属阳离子形成大阳离子的能力与溶出伏安法的高灵敏度三者的结合，冠醚化合物中性分子可与金属阳离子络合形成大络阳离子：M~(n+)＋qC=(MC_q)~(n+) Naf:on膜由于其具有的对大阳离子的强交换能力而将冠醚与和金属离子形成的大阳离子络合并吸附于电极表面，在溶出伏安法的富集过程中，电位置于是以令（MCq）~(n+)还原的位置以使（MCq）~(n+)还原：（MCq）~(n+)＋ne=M＋qC 析出的零价态的金属可在Naf:on膜内固定，同时又放出冠醚分子成为新的未被占据的络合吸附中心，继续捕获溶液中的阳离子从而起到富集作用。由于使用溶出伏安法排除电极表面络合吸附饱和的问题，从而使本方法灵敏度大大高于一般的使用化学修饰电极进行预富集的分析测定方法。提出了Naf:on薄膜冠醚修饰电极阳极溶出伏安法测定水溶液中Te(I)的方法，在电位为－1.30 Vvs.Ag/Ag ce处0.1高氯酸锂溶液中，用该修饰电极富集30分钟，检测下限可低至2×10~(-12)M（0.4 ppt）。溶液中Te(I)浓度在5×10(-12)M～1×10(-8)M范围内与溶出峰电流成良好的线性关系且通过原点，可以用标准加入法测定。常见共存元素Zn（II），Su（II），Cu（II），Fe（II），Co（II），Ni（II），In（III）等无干扰。Pb（II）与Cd（II）共存时对Te（I）有干扰，同1×10~(-3)M EDTA掩蔽可有消除干扰。测定了合成样品中的Te（I）含量，平行测定七组样品相对标准偏差4.2％。本文法是目前Te（I）的分析中最灵敏的电化学方法之一。提出了Naf:on薄膜冠醚修饰电极阳极溶出伏安法测定水溶液中Ag（I）的方法。在0.01MHNO_3 4～7×10~(-3)M Cl混合溶液中，检测电位在－0.30Vvs.SCE富集30分钟，检出下限可低至2×10~(-12)M，是迄今所见Ag（I）的分析中灵敏度最高的电分析方法。Ag（I）浓度在2×10~(-11)M～1×10~(-8)M范围内与溶出峰电流成良好的线性关系且通过原点。五到十倍量的Hg（II）和Au（II）有干扰。用本法测定了分析纯硝酸铵中的银含量为0.000048％，平行测定七组样品相对标准偏差为3.7％。提出用Naf:on薄膜冠醚修饰电极阳极溶出伏安法测定水样中铅的方法。在0.lMLiNO_3底液中，电位在－1.10Vvs.SCE富庥3分钟检测限达5×10~(-10)M，方法快速灵敏。Pb（II）浓度在1×10~(-9)～1×10~(-7)M范围内与溶出峰电流呈线性关系。1×10~(-6)以上Cu（II）存在使Pb（II）的峰电流时显增加。用本方法测定了自来水样中的铅含量，平行测定七组样品相对标准偏差8.0％。该修饰电极在K~+浓度为1×10~(-5)～1×10~(-7)M范围内对K~+有能斯特响应。本工作为铊、铅、银的痕量分析提供了高灵敏度的方法，为溶出伏安法摆脱汞污染的问题做出了贡献，为化学修饰电极用于分析化学领域提供了新的途径。

Aggregation and precipitation in high dose as ion implanted Ge0.5Si0.5 alloy

Thermally stimulated redistribution and precipitation of excess arsenic in Ge0.5Si0.5 alloy has been studied by X-ray photoelectron spectroscopy (XPS), cross sectional transmission electron microscopy (XTEM) and X-ray energy disperse spectrometry (EDS). Samples were prepared by the implantation of 6 X 10(6) As+ cm(-2) and 100 keV with subsequent thermal processing at 800 degrees C and 1000 degrees C for 1 h. The XPS depth profiles from the implanted samples before and after the thermal annealing indicate that there is marked redistribution of the elements in heavily arsenic-implanted Ge0.5Si0.5 alloys during the annealing, including: (1) diffusion of As from the implanted region to the surface; (2) aggregation of Ge in the vicinity of the surface. A high density of precipitates was observed near the surface which were by XTEM and EDS identified as an arsenide. It is suggested that most of the implanted As in Ge0.5Si0.5 alloy exists in the form of GeAs.

基于法拉第旋转镜的Michelson干涉仪偏振相位噪声研究

在理论上研究了由法拉第旋转镜构成的Michelson干涉仪的偏振特性,推导出Michelson干涉仪的偏振引入相位噪声与法拉第旋转镜旋转角偏差的关系式。理论分析法拉第旋转角有偏差时,引导光纤中的偏振态扰动(偏振噪声)会在干涉仪中引入相位噪声,该相位噪声水平与引导光纤中的偏振噪声水平和干涉仪输入光的偏振态有关。并且当法拉第旋转角偏差±2°时,可估算偏振引入的相位噪声与引导光纤中偏振噪声的幅度比值低于2×10-3;在多波长复用系统中,若法拉第旋转角偏差±5°,该幅度比值仍低于1.5×10-2。实验中观察到该幅度比值低于2.5×10-2,并发现输入光偏振态变化并不引起干涉仪相位噪声的变化,由此可知由法拉第旋转角偏差引入的相位噪声符合理论估算的量级,得到了很好的抑制。

纳米硅镶嵌氮化硅薄膜的制备与光致发光特性

为研究氮化硅薄膜发光材料的制备工艺及其光致发光机制,实验采用射频磁控反应溅射技术与热退火处理制备了纳米硅镶嵌氮化硅薄膜材料.利用红外光谱(IR)、X射线衍射谱(XRD)、能谱(EDS)和光致发光谱(PL),对不同工艺条件下薄膜样品的成分、结构和发光特性进行研究,发现在制备的富硅氮化硅薄膜材料中形成了纳米硅颗粒,并计算出其平均尺寸.在510 nm光激发下,观察到纳米硅发光峰,对样品发光机制进行了讨论,认为其较强的发光起因于缺陷态和纳米硅发光.

高响应度GaN肖特基势垒紫外探测器的性能与分析

制作了反向饱和电流为5.5×10~(-14) A/cm~2,势垒高度为1.18eV的GaN肖特基势垒紫外探测器.测量了探测器分别在零偏压及反向偏压下的光谱响应度,响应度随反向偏压无显著变化,零偏压下峰值响应度在波长358.2nm处达到了0.214A/W.利用波长359nm光束横向扫描探测器的光敏面,测量了探测器在不同偏压下的空间响应均匀性,相应偏压下的光响应在光敏面中央范围内响应幅值变化不超过0.6%.光子能量在禁带边沿附近的光束照射下,GaN肖特基势垒紫外探测器存在势垒高度显著降低现象,这种现象在肖特基透明电极边沿及其压焊电极附近表现得更为突出.探测器在368和810nm波长光一起照射时的开路电压比只有368nm光照射时的开路电压大,而零偏压下两者的光电流近似相等.利用这种开路电压变化效应估算了探测器在368nm光照射下,表面被俘获空穴的面密度变化量约为8.4×10~(10) cm~(-2).

平面型InGaAs／InPAPD边缘提前击穿行为的抑制

平面型雪崩光电二极管（APD）在结弯曲处具有高的电场，导致在结边缘的提前击穿。运用FEMLAB软件对不同工艺流程制备的三种不同结构平面型InP／InGaAsAPD的电场分布进行了二维有限元模拟，在表面电荷密度为5×10^11cm^-2时分析了吸收层厚度、保护环掺杂浓度、保护环和中央结纵向及横向间距等因素对边缘提前击穿特性的抑制程度。比较了这三种结构的InP／InGaAsAPD在边缘提前击穿的抑制特性的优劣。通过理论研究对平面InP／InGaAsAPD进行了优化。

低功率消耗、响应快速的SOI基可变光学衰减器

采用绝缘体上Si(SOI)材料制作了马赫-曾德干涉型(MZI)SOI热光可变光学衰减器(VOA),利用隔热槽有效降低器件的功率消耗,提高响应速度.在1 510～1 610 nm波长范围内动态调节范围可达到0～29 dB.与未加隔热槽的相同结构光学衰减器相比,器件插入损耗和调制深度不受影响.最大衰减(29 dB)时功率消耗由360 mW降低为130 mW,器件响应速度提高1倍,响应时间由大于100 μs降为小于50 μs.

基于InP／空气隙布拉格反射镜的长波长谐振腔光电探测器

报道了一种长波长的InP基谐振腔(RCE)光电探测器．采用选择性湿法刻蚀，制备出基于InP／空气隙的分布布拉格反射镜，并将该结构的反射镜引人RCE光电探测器．制备的器件在波长1.510μm处获得了约59％的峰值量子效率，以及8GHz的3dB响应带宽，其中器件的台面面积为50μm * 50μm．

InGaAs/InGaAsP量子阱激光器材料带隙蓝移研究

为了在光开关器件的制作中实现低传输损耗的光波导，对InGaAs/InGaAsP分别限制异质结多量子阱(SCH-MQW)激光器结构进行了一系列带隙蓝移实验。将能量1～2MeV、注量1～5×10~(13)cm~(-2)的P~+注入到实验样品后，在700℃下快速热退火90s。发现光致发光谱的峰值位置发生蓝移9～89nm。蓝移量随着注入能量和注量的增大而增大，并且能量比注量对蓝移的影响更大。

GaAs太阳电池的质子辐照和退火效应（英文）

对AlGaAs/GaAs太阳电池进行了质子辐照和热退火实验。质子辐照的能量为325keV，辐照的剂量为5×10~(10)-1×10~(13)cm~(-2)。实验结果表明，质子辐照造成了GaAs太阳电池光伏性能的退化，其中短路电流的退化比其它参数的退化更为明显。退火实验结果表明，200℃的低温退火可以使得辐照后的电池的光伏性能得以部分恢复。此外，实验结果还指出，在GaAs太阳电池表面加盖一层0.5mm的硼硅玻璃盖片可以明显地减少质子辐照对GaAs太阳电池性能的损伤。

等边三角形、正方形和平行四边形微光学谐振腔品质因子的比较（英文）

采用时域有限差分和Pade近似计算了等边三角形、正方形和平行四边形微谐振腔的模式频率和品质因子，数值结果表明等边三角形谐振腔中的谐振模式具有较高的品质因子，这主要是由于等边三角形谐振腔中的模式在横向上得到了完全的限制，而在其它两种谐振腔中，模式在横向上只是得到部分限制。对于边长为4μm,折射率为3.2的等边三角形谐振腔，发现在1.55μm波长处的模式品质因子可达5.5×10~3。

组份线性渐变SiGe缓冲层的生长及其表征

采用阶跃式GeH_4流量增加和温度降低的方法，超高真空化学气相淀积系统中生长了线性渐变组份的SiGe缓冲层，并在其上生长出了弛豫的Si_(0.48)Ge_(0.32)外延层。俄歇电子能谱证实缓冲层Ge组份呈线性渐变。Raman散射谱得出上表层应变弛豫度为32%,与X射线双晶衍射结果符合得很好。腐蚀的样品观察到沿两个<110>方向规律性分布、大小和螺旋走向完全一致的位错团密度约5×10~7/cm~2。分析了位错团产生的原因。

GSMBE 生长掺杂 Si 及GeSi/Si合金及其电学性质研究

用气态源分子束外延法对Si及GeSi/Si合金进行了N、P型掺杂研究，结果表明，杂质在外延层中的掺入行为取决于生长过程中乙硅烷与相关掺杂气体的竞争吸附与脱附过程，所获得的N型及P型载流子浓度范围分别为1.5×10~(16)～4.0×10~(19)cm~(-3)及1.0×10~(17)～2.0×10~(19)cm~(-3),基于对n型Si外延材料中迁移率与杂质浓度、温度的关系，用Klaassen模型对实验结果进行拟合，分析了不同散射机制，特别是少数载流子电离散射对迁移率的影响。此外，样品的二次离子谱及扩展电阻分析表明，N、P型杂质浓度纵向分布较为均匀，无明显的偏析现象。