InGaAs/InGaAsP量子阱激光器材料带隙蓝移研究
| Data(s) |
2001
|
|---|---|
| Resumo |
为了在光开关器件的制作中实现低传输损耗的光波导，对InGaAs/InGaAsP分别限制异质结多量子阱(SCH-MQW)激光器结构进行了一系列带隙蓝移实验。将能量1～2MeV、注量1～5×10~(13)cm~(-2)的P~+注入到实验样品后，在700℃下快速热退火90s。发现光致发光谱的峰值位置发生蓝移9～89nm。蓝移量随着注入能量和注量的增大而增大，并且能量比注量对蓝移的影响更大。 北京市科技新星计划,国家自然科学基金 |
| Identificador | |
| Idioma(s) |
中文 |
| Fonte |
刘超;李国辉;韩德俊;姬成周;陈涌海;叶小玲.InGaAs/InGaAsP量子阱激光器材料带隙蓝移研究,北京师范大学学报. 自然科学版,2001,37(2):170 |
| Palavras-Chave | #半导体材料 |
| Tipo |
期刊论文 |
