组份线性渐变SiGe缓冲层的生长及其表征
| Data(s) |
2000
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|---|---|
| Resumo |
采用阶跃式GeH_4流量增加和温度降低的方法，超高真空化学气相淀积系统中生长了线性渐变组份的SiGe缓冲层，并在其上生长出了弛豫的Si_(0.48)Ge_(0.32)外延层。俄歇电子能谱证实缓冲层Ge组份呈线性渐变。Raman散射谱得出上表层应变弛豫度为32%,与X射线双晶衍射结果符合得很好。腐蚀的样品观察到沿两个<110>方向规律性分布、大小和螺旋走向完全一致的位错团密度约5×10~7/cm~2。分析了位错团产生的原因。 国家自然科学基金 |
| Identificador | |
| Idioma(s) |
中文 |
| Fonte |
李代宗;成步文;黄昌俊;王红杰;于卓;张春晖;余金中;王启明.组份线性渐变SiGe缓冲层的生长及其表征,半导体学报,2000,21(11):1111 |
| Palavras-Chave | #光电子学 |
| Tipo |
期刊论文 |
