低功率消耗、响应快速的SOI基可变光学衰减器
| Data(s) |
2005
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|---|---|
| Resumo |
采用绝缘体上Si(SOI)材料制作了马赫-曾德干涉型(MZI)SOI热光可变光学衰减器(VOA),利用隔热槽有效降低器件的功率消耗,提高响应速度.在1 510～1 610 nm波长范围内动态调节范围可达到0～29 dB.与未加隔热槽的相同结构光学衰减器相比,器件插入损耗和调制深度不受影响.最大衰减(29 dB)时功率消耗由360 mW降低为130 mW,器件响应速度提高1倍,响应时间由大于100 μs降为小于50 μs. 采用绝缘体上Si(SOI)材料制作了马赫-曾德干涉型(MZI)SOI热光可变光学衰减器(VOA),利用隔热槽有效降低器件的功率消耗,提高响应速度.在1 510～1 610 nm波长范围内动态调节范围可达到0～29 dB.与未加隔热槽的相同结构光学衰减器相比,器件插入损耗和调制深度不受影响.最大衰减(29 dB)时功率消耗由360 mW降低为130 mW,器件响应速度提高1倍,响应时间由大于100 μs降为小于50 μs. 于2010-11-23批量导入 zhangdi于2010-11-23 13:04:30导入数据到SEMI-IR的IR Made available in DSpace on 2010-11-23T05:04:30Z (GMT). No. of bitstreams: 1 4473.pdf: 356119 bytes, checksum: 9ebcf2c0889ac60e9f7b573173a7da32 (MD5) Previous issue date: 2005 国家"863"计划资助项目 中国科学院半导体研究所,光电子研究发展中心 国家"863"计划资助项目 |
| Identificador | |
| Idioma(s) |
中文 |
| Fonte |
贺月娇;方青;辛红丽;陈鹏;李芳;刘育梁.低功率消耗、响应快速的SOI基可变光学衰减器,光电子·激光,2005,16(6):642-645 |
| Palavras-Chave | #光电子学 |
| Tipo |
期刊论文 |
