Improved Epitaxy of 3C-SiC Layers on Si(100) by New CVD/LPCVD System

Single crystalline 3C-SiC epitaxial layers are grown on φ50mm Si wafers by a new resistively heated CVD/LPCVD system, using SiH_4, C_2H_4 and H_2 as gas precursors. X-ray diffraction and Raman scattering measurements are used to investigate the crystallinity of the grown films. Electrical properties of the epitaxial 3C-SiC layers with thickness of 1 ～ 3μm are measured by Van der Pauw method. The improved Hall mobility reaches the highest value of 470cm~2/(V·s) at the carrier concentration of 7.7 * 10~(17)cm~(-3).

立方相 Al_xGa_(1-x)N/GaAs(100)的MOVCD外延生长

利用MOCVD生长技术在GaAs(100)衬底上生长了高质量的立方相AlGaN薄膜。通过光致发光（PL）、扫描电镜（SEM）分析了不同NH_3流量、不同生长温度对AlGaN外延层的结晶质量和表面形貌的影响。发现相对高的NH_3流量和相对高的生长温度可以提高AlGaN外延层的结晶质量。

在p-Si(100)上溅射法生长ZnO的结构和光学特性

室温下在p-Si(100)上采用直流反应磁控溅射法外延生长了ZnO薄膜。XRD测量表明了ZnO是高度c轴单一取向生长的，XRC测量则表明了ZnO的高质量。在室温下的PL测量中见到了带边发射，其强度与晶体质量有关。

Strain Analysis of Cubic AlGaN/GaNGrownon GaAs（100） Substrate by MOVPE

于2010-11-23批量导入

立方相Al_xGa_（1-x）N/GaAs（100）的光致发光研究

于2010-11-23批量导入

立方相GaN/GaAs（100）质量的X射线双晶衍射研究

于2010-11-23批量导入

γ-Al_2O_3/Si(100)薄膜高真空MOCVD异质外延生长

国家计委八五计划,国家计委九五计划

电子束辐照对InP（100）表面硫钝化的增强作用

采用含有过量硫的(NH_4)_2S_x对InP(100)表面进行化学钝化和辉光放电电子束辐照处理,液氮下光致发光强度比未辐射的光致发光强度提高了1.5倍,比未钝化的提高了5倍.利用X射线光电子谱研究了电子辐照对InP表面硫钝化的影响.结果表明,硫钝化InP表面经电子束辐照可以促使S与InP更好的化合.

GaAs（100）的（NH4）2Sx和P2S5/（NH4）2Sx表面钝化

于2010-11-23批量导入

室温下InP（100）表面K诱发催化氮化反应的同步辐射光电子能谱研究

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K对InP（100）表面催化氧化反应的同步辐射光电子能谱研究

国家自然科学基金

碱金属Rb在InP（100）表面的催化氧化作用

用XPS和UPS研究了氧在Rb复盖的和清洁的InP(100)表面的吸附行为。实验结果表明,碱金属可以使衬底的氧化能力大大增加。在氧的暴露量低于1L时,氧主要吸附在碱金属原子之间的InP衬底上,且位于Rb原子层之下。当氧暴露量增加时,氧主要还是吸附在Rb覆盖层下面,这时衬底开始氧化。在清洁表面,氧主要吸附在In原子上,样品退火后,Rb部分脱附,同时,衬底的氧化物相(InPO_4)含量增加。

水分子在Si（100）面上吸附位的确定

于2010-11-23批量导入