GaAs（100）的（NH4）2Sx和P2S5/（NH4）2Sx表面钝化
| Data(s) |
1995
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|---|---|
| Resumo |
于2010-11-23批量导入 zhangdi于2010-11-23 13:13:52导入数据到SEMI-IR的IR Made available in DSpace on 2010-11-23T05:13:52Z (GMT). No. of bitstreams: 1 5967.pdf: 431047 bytes, checksum: 0462e564346deea1be755a304313872e (MD5) Previous issue date: 1995 国家自然科学基金 中科院半导体所;中科院物理所 国家自然科学基金 |
| Identificador | |
| Idioma(s) |
中文 |
| Fonte |
陈维德;金高龙;高志强;崔玉德;段俐宏.GaAs（100）的（NH4）2Sx和P2S5/（NH4）2Sx表面钝化,物理学报,1995,44(8):1328 |
| Palavras-Chave | #半导体材料 |
| Tipo |
期刊论文 |
