电子束辐照对InP（100）表面硫钝化的增强作用
| Data(s) |
1996
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|---|---|
| Resumo |
采用含有过量硫的(NH_4)_2S_x对InP(100)表面进行化学钝化和辉光放电电子束辐照处理,液氮下光致发光强度比未辐射的光致发光强度提高了1.5倍,比未钝化的提高了5倍.利用X射线光电子谱研究了电子辐照对InP表面硫钝化的影响.结果表明,硫钝化InP表面经电子束辐照可以促使S与InP更好的化合. 采用含有过量硫的(NH_4)_2S_x对InP(100)表面进行化学钝化和辉光放电电子束辐照处理,液氮下光致发光强度比未辐射的光致发光强度提高了1.5倍,比未钝化的提高了5倍.利用X射线光电子谱研究了电子辐照对InP表面硫钝化的影响.结果表明,硫钝化InP表面经电子束辐照可以促使S与InP更好的化合. 于2010-11-23批量导入 zhangdi于2010-11-23 13:13:47导入数据到SEMI-IR的IR Made available in DSpace on 2010-11-23T05:13:47Z (GMT). No. of bitstreams: 1 5956.pdf: 260847 bytes, checksum: a3611cb4c0892ddb9daa782214060040 (MD5) Previous issue date: 1996 国家自然科学基金 中科院半导体所;中科院微电子中心 国家自然科学基金 |
| Identificador | |
| Idioma(s) |
中文 |
| Fonte |
陈维德;李秀琼;段俐宏;谢小龙.电子束辐照对InP（100）表面硫钝化的增强作用,半导体学报,1996,17(7):518 |
| Palavras-Chave | #半导体化学 |
| Tipo |
期刊论文 |
