优质应变Si_(1-x)Ge_x/Si超晶格的气源分子束处延

于2010-11-23批量导入

应变Si（1-x）Ge_x/Si异质结材料的GSMBE生长及X射线双晶衍射研究

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In_xGa_(1-x)As/InP应变多量子阱P-i-N结构的GSMBE生长及X射线双晶衍射研究

国家863计划

MBE生长应变Si（1-x）Ge_x/Si MQW结构中Ge分布的计算

根据MBE实际生长条件，采用在应变Si_(1-x)Ge_x/Si MQW结构中同应变相关的Ge的扩散系数，用生长过程的移动边界条件，求解了Ge在Si_(1-x)Ge_x/Si MQW中的扩散方程，模拟出了MQW的畸变，指出了这种畸变具有固定的不对称性，并分析了不同生长温度、应变及阱宽情况下MQW畸变。

n-Hg（1-x）CdxTe中复合中心

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As＋注入Si（1-x）Gex的快速退火行为

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InxGa（1-x）As缓冲层上InyGa（1-y）As/（Al）GaA超晶格的光伏谱研究

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p型Si（1-x）Gex应变层中重掺杂禁带窄变的计算

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AlxGa（1-x）As/GaAs太阳电池减反射膜的研究

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GaAs-AlxGa（1-x）As异质结构界面光激发过剩电子的热辅助隧穿俘获

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高电子迁移率GaAs/AlxGa（1-x）As二维电子气（2DEG）异质结结构参数优化研究

采用三角阱近似,考虑了GaAs/Al_xGa_(1-x)As二维电子气(2DEG)异质结中七种主要的散射机制,计算了2DEG电子迁移率与隔离层厚度(d)和Al组分(x)的关系,对GaAs/Al_xGa_(1-x)As异质结的结构参数进行了优化分析。就作者所知,该文首次计算了2DEG电子迁移率与Al组分x的关系,得到了与实验规律一致的结果。