极低阈值脊形波导GaAs/AlGaAs GRIN-SCH SQW激光二极管

报道了极低阈值电流脊形波导～0.85 μm GaAs/AlGaAs GRIN-SCH SQW激光二极管优化设计、器件制备和特性。获得了2.2～4 mA的极低阈值电流和～0.6 mW/mA的微分量子效率。70℃,3 mW恒功率寿命试验,推测器件平均工作寿命大于4万小时。

用回熔再生长LPE工艺制备高效AlGaAs/GaAs太阳电池

于2010-11-23批量导入

Low threshold GaAs/AlGaAs double Quantum Well Lasers

于2010-11-23批量导入

GaAs/AlGaAs和InGaAs/GaAs窄量子阱中激子线宽与温度的关系

研究了具有不同阱宽的GaAs/AlGaAs和InGaAs/AlGaAs窄量子阱结构中激子线宽与温度的关系,发现在低温范围内,声学声子的线性散射系数随着阱宽的减小而增加,对实验结果作了讨论。

注入Ga离子的GaAs/AlGaAs量子阱中界面混合的光荧光研究

用注入Ga离子GaAs/AlGaAs量子阱在快速热退火中大大加快了异质结界面的互扩散,表现在PL光谱中量子陆峰值能量有30～90meV的兰移.发现兰移大小同注入损伤程度、退火的温度及时间有关.

非对称长法布里-伯里腔光调制特性分析及高对比度GaAs/AlGaAs调制器

国家自然科学基金

由选择腐蚀和选择氧化法相结合研制的GaAs/AlGaAs垂直腔面发射激光器

报道了由选择氧化和选择腐蚀法相结合研制的GaAs/AlGaAs垂直腔面发射半导体光器,DBR中的AlAs经选择氧化后形成的氧化层作为有源区的横向电流限制层,器件的最低阈值电流为3.8mA,输出功率大于1mW,发散角小于7.8°,高频测量脉冲上升沿达100ps,并制成了2×3列阵器件.

980nm InGaAs/GaAs/AlGaAs应变量子阱激光器

报道了眷形波导InGaAs/AIGaAs应变量子阱激光器的特性和实验结果。激光器阈值电流最低为9mA，典型值为15mA，线性输出光功率大于120mW，微分量子效率典型值为60％(镀高反膜和增透膜)，50℃、80mW恒定功率条件下老化实验结果表明

室温连续工作的GaAs/AlGaAs垂直腔面发射激光器列阵

于2010-11-23批量导入

MBE和MOCVD生长的AlGaAs/GaAs GRIN-SCH SQW激光器深中心的比较

应用深能级瞬态谱(DLTS)技术详细研究分子束外延(MBE)和金属有机物化学汽相淀积(MOCVD)生长的AlGaAs/GaAs激光器的深中心。结果表明,在激光器的n-AlGaAs层里除众所周知的DX中心外,还存在着较大浓度和俘获截面的深(电子或空穴)陷阱,它们直接影响着激光器的性能。

GaAs/AlGaAs窄量子阱中激子二维特性的退化

用光荧光(PL)和时间分辨光谱(TRPL)技术研究了GaAs/AlGaAs窄量子阱结构中荧光上升时间τ_f和激子谱线半宽(FWHM)随阱宽的变化关系,发现在窄阱中,τ_f随阱宽的变化关系与宽阱是的情况恰恰相反,在窄阱中τ_f随着阱宽的减小而增加,归结为激子二维特性的退化导致声学声子对激子的散射作用减弱造成的。同时观测到窄阱中谱线半宽随着阱宽减小而增加,这也是因为激子特性由准二维向三维转化造成的。

InGaAs/GaAs和InGaAs/AlGaAs应变层量子阱中的子带驰豫过程

利用时间分辨光谱技术,在11～90K温度范围研究了不同阱宽的InGaAs/GaAs和InGaAs/AlGaAs应变层量子阱子带弛豫过程,讨论了这两种量子阱材料中不同散射机制的作用。

AlGaAs/GaAs超晶格界面平整度的X射线双晶衍射研究

用X射线运动学的多层膜干涉理论,模拟计算了AlGaAs/GaAs超晶格X射线双晶衍射摇摆曲线.提出了一种具有整数分子层的界面过度层理论模型,并运用此理论研究了零级卫星峰的峰峰位的源移,过渡层对超晶格卫星峰强度的影响以及低级卫星峰的规律性消光规律.

GaAs/AlGaAs二维电子气（2DEG）散射机理研究

采用三角阱近似,计算了GaAs/AlGaAs二维电子气(2DEG)电子只占据基态子带时,由极性光学声子、声学形变势、声学压电势、远程电离杂质、本底电离杂质合金无序以及界面粗糙等七种主要的散射机制决定的电子迁移率与温度、2DEG浓度、本底电离杂质浓度、以及界面不平整度等的关系。理论计算结果与实验符合很好。

GaAs/AlGaAs多量子阱二维面阵红外探测器

报道10×16元二维面阵GaAs/AlGaAs多量子阱红外探测器的研究进展。通过表面光栅耦合,采用垂直入射的工作模式,在T=80K时探测率为2.9×10~(10)cm·Hz~(1/2)/W,电压响应率为1.3×10~4V/W。各测试单元间探测率和电压响应率的偏差小于18％,串音小于0.45％,在最大探测率偏置条件下,器件的暗电流密度为6.2×10~(-6)A/cm~2。