由选择腐蚀和选择氧化法相结合研制的GaAs/AlGaAs垂直腔面发射激光器
| Data(s) |
1996
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| Resumo |
报道了由选择氧化和选择腐蚀法相结合研制的GaAs/AlGaAs垂直腔面发射半导体光器,DBR中的AlAs经选择氧化后形成的氧化层作为有源区的横向电流限制层,器件的最低阈值电流为3.8mA,输出功率大于1mW,发散角小于7.8°,高频测量脉冲上升沿达100ps,并制成了2×3列阵器件. 国家自然科学基金 |
| Identificador | |
| Idioma(s) |
中文 |
| Fonte |
康学军;林世鸣;高俊华;高洪海;王启明;王红杰;王立轩;张春晖.由选择腐蚀和选择氧化法相结合研制的GaAs/AlGaAs垂直腔面发射激光器,半导体学报,1996,17(11):873 |
| Palavras-Chave | #半导体器件 |
| Tipo |
期刊论文 |
