MBE和MOCVD生长的AlGaAs/GaAs GRIN-SCH SQW激光器深中心的比较
| Data(s) |
1995
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| Resumo |
应用深能级瞬态谱(DLTS)技术详细研究分子束外延(MBE)和金属有机物化学汽相淀积(MOCVD)生长的AlGaAs/GaAs激光器的深中心。结果表明,在激光器的n-AlGaAs层里除众所周知的DX中心外,还存在着较大浓度和俘获截面的深(电子或空穴)陷阱,它们直接影响着激光器的性能。 应用深能级瞬态谱(DLTS)技术详细研究分子束外延(MBE)和金属有机物化学汽相淀积(MOCVD)生长的AlGaAs/GaAs激光器的深中心。结果表明,在激光器的n-AlGaAs层里除众所周知的DX中心外,还存在着较大浓度和俘获截面的深(电子或空穴)陷阱,它们直接影响着激光器的性能。 于2010-11-23批量导入 zhangdi于2010-11-23 13:13:53导入数据到SEMI-IR的IR Made available in DSpace on 2010-11-23T05:13:53Z (GMT). No. of bitstreams: 1 5968.pdf: 407496 bytes, checksum: b9fd7ab0410d0455872fc9b665e83cc1 (MD5) Previous issue date: 1995 中科院半导体所 |
| Identificador | |
| Idioma(s) |
中文 |
| Fonte |
卢励吾;周洁;封松林;徐俊英;杨辉.MBE和MOCVD生长的AlGaAs/GaAs GRIN-SCH SQW激光器深中心的比较,物理学报,1995,44(8):1249 |
| Palavras-Chave | #半导体器件 |
| Tipo |
期刊论文 |
