GaAs/AlGaAs二维电子气（2DEG）散射机理研究
| Data(s) |
1995
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|---|---|
| Resumo |
采用三角阱近似,计算了GaAs/AlGaAs二维电子气(2DEG)电子只占据基态子带时,由极性光学声子、声学形变势、声学压电势、远程电离杂质、本底电离杂质合金无序以及界面粗糙等七种主要的散射机制决定的电子迁移率与温度、2DEG浓度、本底电离杂质浓度、以及界面不平整度等的关系。理论计算结果与实验符合很好。 采用三角阱近似,计算了GaAs/AlGaAs二维电子气(2DEG)电子只占据基态子带时,由极性光学声子、声学形变势、声学压电势、远程电离杂质、本底电离杂质合金无序以及界面粗糙等七种主要的散射机制决定的电子迁移率与温度、2DEG浓度、本底电离杂质浓度、以及界面不平整度等的关系。理论计算结果与实验符合很好。 于2010-11-23批量导入 zhangdi于2010-11-23 13:14:09导入数据到SEMI-IR的IR Made available in DSpace on 2010-11-23T05:14:09Z (GMT). No. of bitstreams: 1 6003.pdf: 272768 bytes, checksum: 230812003480b63815a60ea616725fb6 (MD5) Previous issue date: 1995 中科院半导体所 |
| Identificador | |
| Idioma(s) |
中文 |
| Fonte |
杨斌;陈涌海;王占国;梁基本;廖奇为;林兰英.GaAs/AlGaAs二维电子气（2DEG）散射机理研究,半导体学报,1995,16(4):248 |
| Palavras-Chave | #半导体材料 |
| Tipo |
期刊论文 |
