标准CMOS工艺在高速模拟电路和数模混合电路中的应用展望

从速度、集成度、功耗和成本等几个方面深入的分析了利用标准CMOS工艺来设计开发高速模拟器件和混合处理芯片的现状及发展潜力。

基于制作离散性对策的高性能CMOS DAC

基于CMOS器件的离散性机理及误差消除对策，研究了高速、高精度嵌入式CMOS数/模转换器（DAC）IP核的设计与实现。采用行、列独立译码的二次中心对称电流源矩阵结构，优化了电流源开关电路结构与开关次序；利用Cadence的Skill语言独立开发电流源矩阵的版图排序和布线方法。在0.6μm N阱CMOS工艺平台下，12-bitDAC的微分线性误差和积分线性误差分别为1LSB和1.5LSB，在采样率为150MHz、工作电源为3.3V时的平均耗为140mW。流片一次成功，主要性能指标满足设计要求。

CMOS兼容光电单片接收机的模拟与设计

设计了与CMOS工艺兼容的光电单片接收机电路，其中包括光电探测器、前置放大器和主放大器。它采用0.6μm CMOS工艺，可在自血的高阻外延片上使用MPW (multi-project wafer)进行流水。其中光电探测器的工作波长为850nm，响应度为0.2A/W，接收灵敏度为-16dBm，带宽为800MHz，因此适用于VSR(versy short reach)系统。前置放大器采用电流模反馈放大器，主放大器输出为LVDS(low voltage differential signals)电平。通过器件模拟与电路模拟统一的方法将光电探测器与接收机放大电路进行统一模拟，分析了电路的限制因素，并提出了相应的改进方法。

CMOS/SOI 4Kb SRAM总剂量辐照实验

研究了CMOS/SOI 4Kb静态随机存储器的抗总剂量辐照性能。CMOS/SOI 4Kb静态随机存储器采用1K * 4的并行结构体纱，其地址取数时间为30ns，芯片尺寸为3.6mm * 3.84mm；在工作电压为3V时，CMOS/SOI 4Kb静态随机存储器抗总剂量高达5 * 10~5R(Si)，能较好地满足军用和航天领域的要求。

与CMOS工艺兼容的硅高速光电探测器模拟与设计

用器件模拟的方法，设计了一种与常规CMOS工艺兼容的硅高速光电探测器，该探测器可与CMOS接收机电路单片集成，对该探测器进行了器件模拟研究，给出了该探测器的电路模型。通过MOSIS（MOS implementation support project）0.35 μm COMS工艺制做了该探测器，实际测试了该器件的频率响应和波长响应，探测器频率响应在1GH以上，峰值波长响应在0.69 μm。

CMOS集成电路用Φ150-200mm外延硅材料

报道了Φ150mm CMOS硅外延材料的研究开发及集成电路应用成果，对Φ200mmP/P~-硅外延材料进行了初步探索研究。Φ150mm P/P~+硅外延片实现了批量生产，并成功应用于集成电路生产线，芯片成品率大于80%。硅外延片的参数指标能满足集成电路制造要求。

部分耗尽CMOS/SOI工艺

对部分耗尽CMOS/SOI工艺进行了研究，成功地开发出成套部分耗尽CMOS/SOI抗辐照工艺。其关键工艺技术包括

CMOS/SOI64Kb静态随机存储器

于2010-11-23批量导入

高精度单向模拟开关的设计及其基于CMOS工艺的电路实现

提出并设计了一种基于CMOS工艺实现的高速高精度的单向隔离模拟开关，该开关用在高速两步法A/D转换器中使电路结构大为简化。通过对开关特性的理论分析与电路模拟，证明了这种模拟开关具有高速可控性，传输信号的精度优于先前研究的双极单向隔离模拟开关。

Optoelectronic Smart Pixels Comprising Flip-Chip-Bonded GaAs/AlGaAs MQW Detectors and Modulators on Silicon CMOS Circuit

于2010-11-23批量导入

用于先进 CMOS电路的 150 mm硅外延片外延生长(英文)

随着大规模和超大规模集成电路特征尺寸向亚微米、深亚微米发展，下一代集成电路对硅片的表面晶体完整性和电学性能提出了更高的要求。与含有高密度晶体原生缺陷的硅抛光片相比，硅外延片一般能满足这些要求。该文报道了应用于先进集成电路的150mmP/P~+ CMOS硅外延片研究进展。在PE2061硅外延炉上进行了P/P~+硅外延生长。外延片特征参数，如外延层厚度、电阻率均匀性，过渡区宽度及少子产生寿命进行了详细表征。研究表明:150mm P/P~+CMOS硅外延片能够满足先进集成电路对材料更高要求。

利用改进的固相外延技术改善CMOS/SOS器件的特性

CMOS/SOS器件同体硅CMOS器件相比，载流子迁移率较低，沟道漏电电流放大，它们主要是由异质外延硅膜缺陷，特别是靠近硅蓝宝石界面的硅膜缺陷造成的。该文描述一种改进的固相外延技术提高外延硅膜质量进而改善CMOS/SOS器件特性的实验结果。

硅基光电探测器前置放大电路的输入级CMOS实现

介绍前置电路对光电探测器的影响和给出一种适用于硅基光电探测器前置放大电路的输入级CMOS实现的方法。