部分耗尽CMOS/SOI工艺
| Data(s) |
2001
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|---|---|
| Resumo |
对部分耗尽CMOS/SOI工艺进行了研究，成功地开发出成套部分耗尽CMOS/SOI抗辐照工艺。其关键工艺技术包括 |
| Identificador | |
| Idioma(s) |
中文 |
| Fonte |
刘新宇;孙海峰;陈焕章;扈焕章;海潮和;刘忠立;和致经;吴德馨.部分耗尽CMOS/SOI工艺,半导体学报,2001,22(6):806 |
| Palavras-Chave | #微电子学 |
| Tipo |
期刊论文 |
