利用改进的固相外延技术改善CMOS/SOS器件的特性
| Data(s) |
1999
|
|---|---|
| Resumo |
CMOS/SOS器件同体硅CMOS器件相比，载流子迁移率较低，沟道漏电电流放大，它们主要是由异质外延硅膜缺陷，特别是靠近硅蓝宝石界面的硅膜缺陷造成的。该文描述一种改进的固相外延技术提高外延硅膜质量进而改善CMOS/SOS器件特性的实验结果。 CMOS/SOS器件同体硅CMOS器件相比，载流子迁移率较低，沟道漏电电流放大，它们主要是由异质外延硅膜缺陷，特别是靠近硅蓝宝石界面的硅膜缺陷造成的。该文描述一种改进的固相外延技术提高外延硅膜质量进而改善CMOS/SOS器件特性的实验结果。 于2010-11-23批量导入 zhangdi于2010-11-23 13:11:14导入数据到SEMI-IR的IR Made available in DSpace on 2010-11-23T05:11:14Z (GMT). No. of bitstreams: 1 5511.pdf: 271453 bytes, checksum: 074a767e9ae37134f02b4a8927502466 (MD5) Previous issue date: 1999 中科院半导体所 |
| Identificador | |
| Idioma(s) |
中文 |
| Fonte |
刘忠立;和致经;于芳;张永刚;郁元桓.利用改进的固相外延技术改善CMOS/SOS器件的特性,半导体学报,1999,20(5):433 |
| Palavras-Chave | #半导体器件 |
| Tipo |
期刊论文 |
