基于制作离散性对策的高性能CMOS DAC
| Data(s) |
2003
|
|---|---|
| Resumo |
基于CMOS器件的离散性机理及误差消除对策，研究了高速、高精度嵌入式CMOS数/模转换器（DAC）IP核的设计与实现。采用行、列独立译码的二次中心对称电流源矩阵结构，优化了电流源开关电路结构与开关次序；利用Cadence的Skill语言独立开发电流源矩阵的版图排序和布线方法。在0.6μm N阱CMOS工艺平台下，12-bitDAC的微分线性误差和积分线性误差分别为1LSB和1.5LSB，在采样率为150MHz、工作电源为3.3V时的平均耗为140mW。流片一次成功，主要性能指标满足设计要求。 基于CMOS器件的离散性机理及误差消除对策，研究了高速、高精度嵌入式CMOS数/模转换器（DAC）IP核的设计与实现。采用行、列独立译码的二次中心对称电流源矩阵结构，优化了电流源开关电路结构与开关次序；利用Cadence的Skill语言独立开发电流源矩阵的版图排序和布线方法。在0.6μm N阱CMOS工艺平台下，12-bitDAC的微分线性误差和积分线性误差分别为1LSB和1.5LSB，在采样率为150MHz、工作电源为3.3V时的平均耗为140mW。流片一次成功，主要性能指标满足设计要求。 于2010-11-23批量导入 zhangdi于2010-11-23 13:07:21导入数据到SEMI-IR的IR Made available in DSpace on 2010-11-23T05:07:21Z (GMT). No. of bitstreams: 1 4930.pdf: 239424 bytes, checksum: 589e162752674f2166a47ff264e069cd (MD5) Previous issue date: 2003 国家高技术研究与发展计划资助项目（编号 中国科学院半导体研究所 国家高技术研究与发展计划资助项目（编号 |
| Identificador | |
| Idioma(s) |
中文 |
| Fonte |
于雪峰;石寅.基于制作离散性对策的高性能CMOS DAC,半导体学报,2003,24(11):1211-1216 |
| Palavras-Chave | #微电子学 |
| Tipo |
期刊论文 |
