CMOS集成电路用Φ150-200mm外延硅材料
| Data(s) |
2001
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| Resumo |
报道了Φ150mm CMOS硅外延材料的研究开发及集成电路应用成果，对Φ200mmP/P~-硅外延材料进行了初步探索研究。Φ150mm P/P~+硅外延片实现了批量生产，并成功应用于集成电路生产线，芯片成品率大于80%。硅外延片的参数指标能满足集成电路制造要求。 报道了Φ150mm CMOS硅外延材料的研究开发及集成电路应用成果，对Φ200mmP/P~-硅外延材料进行了初步探索研究。Φ150mm P/P~+硅外延片实现了批量生产，并成功应用于集成电路生产线，芯片成品率大于80%。硅外延片的参数指标能满足集成电路制造要求。 于2010-11-23批量导入 zhangdi于2010-11-23 13:10:18导入数据到SEMI-IR的IR Made available in DSpace on 2010-11-23T05:10:19Z (GMT). No. of bitstreams: 1 5353.pdf: 321140 bytes, checksum: 2cc15b5f01358b599dc51ff11fac6e9d (MD5) Previous issue date: 2001 国家科技攻关项目 中科院半导体所;中科院微电子中心 国家科技攻关项目 |
| Identificador | |
| Idioma(s) |
中文 |
| Fonte |
王启元;林兰英;何自强;龚义元;蔡田海;郁元桓;何龙珠;高秀峰;王建华;邓惠芳.CMOS集成电路用Φ150-200mm外延硅材料,半导体学报,2001,22(12):1538 |
| Palavras-Chave | #半导体材料 |
| Tipo |
期刊论文 |
