标准CMOS工艺在高速模拟电路和数模混合电路中的应用展望


Autoria(s): 崔增文; 何山虎; 陈弘达; 毛陆虹; 高建玉
Data(s)

2003

Resumo

从速度、集成度、功耗和成本等几个方面深入的分析了利用标准CMOS工艺来设计开发高速模拟器件和混合处理芯片的现状及发展潜力。

从速度、集成度、功耗和成本等几个方面深入的分析了利用标准CMOS工艺来设计开发高速模拟器件和混合处理芯片的现状及发展潜力。

于2010-11-23批量导入

zhangdi于2010-11-23 13:07:13导入数据到SEMI-IR的IR

Made available in DSpace on 2010-11-23T05:07:13Z (GMT). No. of bitstreams: 1 4889.pdf: 112904 bytes, checksum: 2badd2e58157b21ecdfb14cf11f133bd (MD5) Previous issue date: 2003

兰州大学微电子研究所;中国科学院半导体研究所

Identificador

http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/17711

http://www.irgrid.ac.cn/handle/1471x/103493

Idioma(s)

中文

Fonte

崔增文;何山虎;陈弘达;毛陆虹;高建玉.标准CMOS工艺在高速模拟电路和数模混合电路中的应用展望,半导体技术,2003,28(4):30-32

Palavras-Chave #光电子学
Tipo

期刊论文