MBE生长高光功率转换效率InGaAs/GaAs/AlGaAs应变量子阱激光器

该文从理论上分析了实现InGaAs/GaAs/AlGaAs应变量子阱激光器高光功率转换效率、高输出功率的有效途径，并优化了器件结构，可以同时获得低的腔面光功率密度和小的垂直于结平面远场发散角。利用分子束外延生长构成了高质量InGaAs/GaAs/AlGaAs应变量子阱激光器，其最高光功率转换效率为53%、最大输出功率为3.7W,垂直于结平面方向远场发散角为30°。

快速热退火引起GaAs/AlGaAs双量子阱中铝原子的扩散研究

用分子束外延生长了GaAs/AlGaAs双量子阱激光器结构样品，并对不同温度快速热退火导致量子阱组分无序即阱和垒中三族元素的扩散过程进行了实验和理论研究。用光荧光技术测量退火样品的n=1量子阱能级跃迁峰值位置，结果表明退火前后样品量子阱能级位置发生蓝移，蓝移量随温度的提高而增大，对退火过程中GaAs/AlGaAs量子阱中三族元素的扩散过程进行了理论分析，并与实验结果相比较，获得了不同退火温度下铝原子的扩散系数和扩散过程的激活能。950℃，30s退火条件下，铝原子的扩散系数为6.6×10~(-16)cm~2/s，扩散过程的激活能为5.0eV。

GaAs/AlGaAs多量子阱FET-SEED灵巧象元

将GaAs/AlGaAs多量子阱光探测器、光调制器与GaAs场效应晶体管(FET)混合集成,构成FET-SEED灵巧像元光探测器和光调制器均为反射型自电光效应器件(SEED),光源为量子阱半导体激光器。光输入信号对光输出信号有明显的调制作用,可以导致光输出信号较大的变化。

GaAs/AlGaAs量子点阵的制备及其荧光特性

采用电子束曝光和反应离子刻蚀的工艺，将GaAs/AlGaAs量子阱外延材料制成量子点阵，其光荧光谱显示出蓝移，并且蓝移量随着量子点直径尺寸的减少而增大。

分子束外延GaAs/AlGaAs超晶格缓冲层量子阱材料的研究

采用分子束外延技术(MBE)生长了GaAs/AlGaAs单量子阱和多量子阱材料。采用GaAs/AlGaAs超晶格缓冲层掩埋衬底缺陷，获得的量子阱结构材料被成功地用于制作量子阱激光器。波长为778nm的激光器，最低阈值电流为30 mA，室温下线性光功率大于20 mW。

低阈值电流密度InGaAs/GaAs/AlGaAs应变量子阱激光器

利用分子束外延技术,生长了极低阈值电流密度、低内损耗、高量子效率的InGaAs/GaAs/AlGaAs应变量子阱激光器。在腔长900μm时，80μm宽接触激光器阈值电流密度是125A/cm~2,在腔长为2000μm时是113A/cm~2,这样低的阈值电流密度是目前国内报道的最低值。激光器的内损耗和内量子效率分别是2cm~(-1)和84％。

极低阈值脊形波导GaAs/AlGaAs GRIN-SCH SQW激光二极管

报道了极低阈值电流脊形波导～0.85 μm GaAs/AlGaAs GRIN-SCH SQW激光二极管优化设计、器件制备和特性。获得了2.2～4 mA的极低阈值电流和～0.6 mW/mA的微分量子效率。70℃,3 mW恒功率寿命试验,推测器件平均工作寿命大于4万小时。

Low threshold GaAs/AlGaAs double Quantum Well Lasers

于2010-11-23批量导入

GaAs/AlGaAs和InGaAs/GaAs窄量子阱中激子线宽与温度的关系

研究了具有不同阱宽的GaAs/AlGaAs和InGaAs/AlGaAs窄量子阱结构中激子线宽与温度的关系,发现在低温范围内,声学声子的线性散射系数随着阱宽的减小而增加,对实验结果作了讨论。

注入Ga离子的GaAs/AlGaAs量子阱中界面混合的光荧光研究

用注入Ga离子GaAs/AlGaAs量子阱在快速热退火中大大加快了异质结界面的互扩散,表现在PL光谱中量子陆峰值能量有30～90meV的兰移.发现兰移大小同注入损伤程度、退火的温度及时间有关.

非对称长法布里-伯里腔光调制特性分析及高对比度GaAs/AlGaAs调制器

国家自然科学基金

由选择腐蚀和选择氧化法相结合研制的GaAs/AlGaAs垂直腔面发射激光器

报道了由选择氧化和选择腐蚀法相结合研制的GaAs/AlGaAs垂直腔面发射半导体光器,DBR中的AlAs经选择氧化后形成的氧化层作为有源区的横向电流限制层,器件的最低阈值电流为3.8mA,输出功率大于1mW,发散角小于7.8°,高频测量脉冲上升沿达100ps,并制成了2×3列阵器件.

980nm InGaAs/GaAs/AlGaAs应变量子阱激光器

报道了眷形波导InGaAs/AIGaAs应变量子阱激光器的特性和实验结果。激光器阈值电流最低为9mA，典型值为15mA，线性输出光功率大于120mW，微分量子效率典型值为60％(镀高反膜和增透膜)，50℃、80mW恒定功率条件下老化实验结果表明

室温连续工作的GaAs/AlGaAs垂直腔面发射激光器列阵

于2010-11-23批量导入