分子束外延GaAs/AlGaAs超晶格缓冲层量子阱材料的研究
| Data(s) |
1997
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| Resumo |
采用分子束外延技术(MBE)生长了GaAs/AlGaAs单量子阱和多量子阱材料。采用GaAs/AlGaAs超晶格缓冲层掩埋衬底缺陷，获得的量子阱结构材料被成功地用于制作量子阱激光器。波长为778nm的激光器，最低阈值电流为30 mA，室温下线性光功率大于20 mW。 采用分子束外延技术(MBE)生长了GaAs/AlGaAs单量子阱和多量子阱材料。采用GaAs/AlGaAs超晶格缓冲层掩埋衬底缺陷，获得的量子阱结构材料被成功地用于制作量子阱激光器。波长为778nm的激光器，最低阈值电流为30 mA，室温下线性光功率大于20 mW。 于2010-11-23批量导入 zhangdi于2010-11-23 13:12:38导入数据到SEMI-IR的IR Made available in DSpace on 2010-11-23T05:12:38Z (GMT). No. of bitstreams: 1 5773.pdf: 298226 bytes, checksum: 260b1738ad098eba4c485a66b7836e77 (MD5) Previous issue date: 1997 山东工业大学电子工程系;中科院半导体所 |
| Identificador | |
| Idioma(s) |
中文 |
| Fonte |
宋珂;张福厚;邢建平;曾一平.分子束外延GaAs/AlGaAs超晶格缓冲层量子阱材料的研究,光电子·激光,1997,8(3):175 |
| Palavras-Chave | #半导体材料 |
| Tipo |
期刊论文 |
