Raman谱研究不同缓冲层结构对Si_(1-x)Ge_x应力弛豫的影响

应用Raman散射谱研究超高真空化学气相淀积(UHV/CVD)生长的不同结构缓冲层对恒定组分上表层Si_(1-x)Ge_x层应力弛豫的影响。Raman散射的峰位不仅与Ge组分有关,而且与其中的应力状态有关。在完全应变和完全弛豫的情况下，Si_(1-x)Ge_x层中的Si-Si振动模式相对于衬底的偏移都与Ge组分成线性关系。根据实测的Raman峰位，估算了应力弛豫。结果表明

衬底温度和生长速率对MBE自组织生长In_xGa_(1-x)As/GaAsQD的影响

研究GaAs基In_xGa_(1-x)As/GaAs量子点(QD)的MBE生长条件，发现在一定的Ⅴ/Ⅲ比下，衬底温度和生长速率是影响In_xGa_(1-x)As/GaAs QD形成及形状的一对重要因素，基中衬底温度直接影响着In的偏析程度，决定了In_xGa_(1-x)As/GaAs的生长模式；生长速率影响着In_xGa_(1-x)As外延层的质量，决定了In_xGa_(1-x)As/GaAs QD的形状及尺寸。通过调节衬底温度和生长速率生长出了形状规则、尺寸较均匀的In_xGa_(1-x)As/GaAs QD(x=0.3)。

Characterization of Ga N_x As_(1 - x) Alloy Grownon Ga As by Molecular Beam Epitaxy

集成光电子学国家重点实验室基金,国家863计划,国家自然科学基金,中科院项目

Photocurrent Measurem entof Si_(1-x)Ge_x/Si Multiple Quantum Wells With Ion Im plantationand Therm al Annealing

于2010-11-23批量导入

立方相Al_xGa_（1-x）N/GaAs（100）的光致发光研究

于2010-11-23批量导入

Al_xGa_（1-x）N and GaN/Al_xGa_（1-x）N Quantum Wells Grown by Gas Sourc

于2010-11-23批量导入

Si_（1-x）Ge_x/Si低维应变材料的发光机理

国家自然科学基金

In_(1-x-y)Ga_xAl_yAs四元混晶的喇曼散射

国家自然科学基金

3～5.3μmIn_xGa_(1-x)As/Al_yGa_(1-y)As/Al_zGa_(1-z)As非对称台阶量子阱红外探测器

于2010-11-23批量导入

In_xGa_(1-x)As/InP应变量子阱中激子跃迁能量随In组分的变化

国家863计划

晶格匹配型GaAs／Al_xGa_（1－x）As量子阱电极光电转换性能的研究

研究了晶格匹配型GaAs/Al_xGa_(1-x)As量子阱电极在非水溶液中的光电转换性能,以及电极结构参数(如阱宽、外垒厚度,量子阱周期)对其光电转换性能的影响,并设计生长了量子产率可比GaAs电极高3倍的变阱宽多周期新型结构的量子阱电极.

优质应变Si_(1-x)Ge_x/Si超晶格的气源分子束处延

于2010-11-23批量导入

应变Si（1-x）Ge_x/Si异质结材料的GSMBE生长及X射线双晶衍射研究

于2010-11-23批量导入