Raman谱研究不同缓冲层结构对Si_(1-x)Ge_x应力弛豫的影响
| Data(s) |
2000
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| Resumo |
应用Raman散射谱研究超高真空化学气相淀积(UHV/CVD)生长的不同结构缓冲层对恒定组分上表层Si_(1-x)Ge_x层应力弛豫的影响。Raman散射的峰位不仅与Ge组分有关,而且与其中的应力状态有关。在完全应变和完全弛豫的情况下，Si_(1-x)Ge_x层中的Si-Si振动模式相对于衬底的偏移都与Ge组分成线性关系。根据实测的Raman峰位，估算了应力弛豫。结果表明 应用Raman散射谱研究超高真空化学气相淀积(UHV/CVD)生长的不同结构缓冲层对恒定组分上表层Si_(1-x)Ge_x层应力弛豫的影响。Raman散射的峰位不仅与Ge组分有关,而且与其中的应力状态有关。在完全应变和完全弛豫的情况下，Si_(1-x)Ge_x层中的Si-Si振动模式相对于衬底的偏移都与Ge组分成线性关系。根据实测的Raman峰位，估算了应力弛豫。结果表明 于2010-11-23批量导入 zhangdi于2010-11-23 13:10:43导入数据到SEMI-IR的IR Made available in DSpace on 2010-11-23T05:10:43Z (GMT). No. of bitstreams: 1 5433.pdf: 217752 bytes, checksum: 1a6ec00f138f214f13e5f4d6c012597f (MD5) Previous issue date: 2000 国家自然科学基金 中科院半导体所 国家自然科学基金 |
| Identificador | |
| Idioma(s) |
中文 |
| Fonte |
李代宗;成步文;黄昌俊;王红杰;于卓;张春晖;余金中;王启明.Raman谱研究不同缓冲层结构对Si_(1-x)Ge_x应力弛豫的影响,半导体学报,2000,21(8):760 |
| Palavras-Chave | #光电子学 |
| Tipo |
期刊论文 |
