Characteristics of AlGaN/GaN HEMTs Grown by Plasma-Assisted Molecular Beam Epitaxy

AlGaN/GaN high electron mobility transistor (HEMT) materials are grown by RF plasma-assisted molecular beam epitaxy (RF-MBE) and HEMT devices are fabricated and characterized. The HEMT materials have a mobility of 1035cm~2/(V ? s) at sheet electron concentration of 1.0 * 10~(13)cm~(-2) at room temperature. For the de-vices fabricated using the malt-rials,a maximum saturation drain-current density of 925mA/mm and a peak extrinsic iransecmductance of IHfimS/mm are obtained on devices with gate length and width of l/-im and 80/im respectively. The f_t, unit-current-gain frequency of the devices,is about 18. 8GHz.

LBO晶体非临界相位匹配倍频研究

利用LBO晶体对Nd:YAG ns激光器进行了腔外倍频实验研究,实验中LBO晶体采用I类非临界相位匹配(NCPM),温度调谐,将倍频转换效率和温度调谐的理论值与实验数据进行了对比,实验结果基本与理论值相符,当基频光的单脉冲能量为1.3J时,获得了840mJ的532nm倍频绿光输出,最高转换效率达到65%,倍频光能量不稳定度小于±3%

GaAs/Si/AlAs异质结的带阶和GaAS生长温度的影响

用分子束外延（MBE）设备制备了GaAs/AlAs和GaAs/Si/AlAs异质结，通过XPS分别研究了异质结界面处Si层厚度为0.5ML和1ML对异质结带阶的调节，得到最大调节量为0.2eV;通过C－V法研究了异质结的GaAs层在不同温度下生长对0.5MLSi夹层的影响，得到Si夹层的空间分布随GaAs层生长温度的升高而扩散增强的温度效应，通过深能级瞬态谱（DLTLS）研究了在上述不同温度下生长的GaAs层的晶体质量。

Design and Fabrication of Ultracompact 3-dB MMI Coupler in Silicon-on-Insulator

An ultracompact 3-dB coupler is designed and fabricated in silicon-on-insulator,based on 12 line tapered multimode interference(MMI) coupler.Comparing with the conventional straigth MMI coupler,the device is-40% shorter in length.The device exhibits uniformity of 1.3dB and excess loss of 2.5dB

新工艺生长的InGaN量子点的结构与电学性质研究

利用金属有机化学气相沉积（MOCVD）技术，采用一种称为低温钝化的新生和方法成功地生长出多层InGaN/GaN量子点。这种方法是对GaN表面进行钝化并在低温下生长，从而增加表面吸附原子的迁移势垒。采用原子力显微镜清楚地观察到该方法生长的样品中岛状的量子点。从量子点样品的I-V特性曲线观察到了共振隧穿引起的负阻效应，其中的锯齿状峰形归因于零维量子点的共振隧穿。

SOI光电子集成

SOI（Silicon-on-Insulator)光电子集成已成为十分引人注目的研究课题，其工艺与CMOS工艺完全兼容，可以实现低成本的SOI基整片集成光电子回路。本文综述了近几年来SOI集成光电子器件的发展以及一些最新的研究进展，着重分析几种最新型光无源器件的工作原理和结构，包括SOI光波导、SOI光波导耦合器、SOI光波导开关、相位阵列波导光栅（PAWG）、基于SOI的光探测器等，并介绍了中国科学院半导体所集成光电子国家重点实验室的研究进展。

GaN基蓝光半导体激光器的发展

文章介绍了下一代光存储用半导体激光器--GaN蓝光激光器的发展状况．对衬底材料的发展现状、外延片的生长技术以及激光器的制作工艺都作了论述．阐明了GaN激光器的一些技术路线，如GaN同质生长衬底的发展，侧向外延生长技术的采用以及湿法腐蚀腔面等．另外还介绍了GaN半导体激光器数字多功能光盘(DVD)的实用化进程．

对GaAs衬底表面进行氩离子清洗的研究

介绍了离子清洗技术在提高980nm半导体激光器可靠性方面的应用。外延片在空气中解理后，半导体激光器的腔面会吸附上碳和氧等杂质。腔面吸附的氧和碳严重影响了器件的可靠性。本文用GaAs衬底表面模拟半导体激光器的解理腔面，并对其进行氩离子清洗，俄歇电子能谱（AES）分析显示氩离子清洗可以有效地清除GaAS表面的氧和碳等杂质。

自组织生长单层InAs量子点结构中浸润层与量子点发光的时间分辨谱研究

在GaAs(100)的衬底上，采用MBE自组织方法生长了单层层厚分别为2和2．5ML的InAs层。通过原子力显微镜(AFM)观察，证实已在InAs层中形成量子点。采用光致发光谱及时间分辨谱对InAs量子点及浸润层开展研究和对比，分析了单层InAs量子点和浸润层中的载流子迁移过程，较好地解释了实验结果。

Lanxide技术合成含烧结助剂的复合AIN粉体

高纯度的氮气中，以Al-Mg-Y合金为母合金，利用Lanxide技术合成了含烧结助剂 Y_2O_3的复合AIN粉体．通过扫描电镜、X射线衍射、粒径分析及化学成分分析等检测手段对氮化产物进行表征．实验结果表明，合金氮化反应完全，氮化产物疏松易于粉化．粉化后获得的复合AIN粉体具有纯度高，氧杂质含量低，粒度细小等优点。

1.55μm偏振不灵敏光放大器结构材料的生长

采用张应变量子阱结构，生长了光放大器材料。利用宽接触激光器TE和TM模的输出功率曲线判断并调整量子阱材料的应变量，得到了偏振灵敏度较低的光放大器结构。

基于电吸收调制器限幅和降噪特性的实验研究

实验研究了基于电吸收调制器(EAM)的限幅和降噪特性。结果表明，在适当的偏置电压下，EAM有很好的限幅特性；EAM也有一定的降低自发辐射噪声(ASE)的作用。因此， EAM适合作为在线光开关，也可在光纤通信系统中作为限幅器使用。

可用于核物理监控系统的microC/OS-Ⅱ片上系统的研究

论述了一种基于FPGA和实时操作系统microC/OS-Ⅱ、适用于核物理数据检测和实验控制的片上可编程系统SOPC(System On a Programmable Chip)的设计,并在altera-stratix-Ⅱ2S60f1020c3芯片内获得实现。该片上可编程系统的硬件处理器和实时操作系统都可根据需求裁剪、重配置。

真空室内表面镀TiZrV抽气层的性能研究

采用直流磁控反溅射法在不锈钢真空管道内表面均匀镀上一层TiZrV薄膜。该薄膜经过激活后具有抽气效应,能够使真空管道由原来的系统气载转变成为管道泵。该薄膜激活温度很低,最低激活温度为180℃。在经过激活后,实验装置远端的真空度与泵口真空度相同,因此压力分布呈直线型。

CSR外靶实验终端大型探测器读出电子学研制

兰州重离子加速器-冷却储存环外靶实验终端大型探测器中子墙和TOF墙分别共有504个和360个通道用于测量中子和带电粒子的飞行时间,需要高精度时间测量的读出电子学系统。研制的8通道读出电子学模块采用了前沿定时的时间测量方法、基于TOT技术的电荷测量方法和PXI总线平台,电子学测试结果显示时间测量精度好于25ps。