1.55μm偏振不灵敏光放大器结构材料的生长
| Data(s) |
2003
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|---|---|
| Resumo |
采用张应变量子阱结构，生长了光放大器材料。利用宽接触激光器TE和TM模的输出功率曲线判断并调整量子阱材料的应变量，得到了偏振灵敏度较低的光放大器结构。 采用张应变量子阱结构，生长了光放大器材料。利用宽接触激光器TE和TM模的输出功率曲线判断并调整量子阱材料的应变量，得到了偏振灵敏度较低的光放大器结构。 于2010-11-23批量导入 zhangdi于2010-11-23 13:06:58导入数据到SEMI-IR的IR Made available in DSpace on 2010-11-23T05:06:58Z (GMT). No. of bitstreams: 1 4862.pdf: 125371 bytes, checksum: c5d722a68731f3b890484ff122b6a942 (MD5) Previous issue date: 2003 国家重点基础研究发展规划资助项目(G2 366 5) 中国科学院半导体研究所 国家重点基础研究发展规划资助项目(G2 366 5) |
| Identificador | |
| Idioma(s) |
中文 |
| Fonte |
于丽娟;金潮渊;芦秀玲;黄永箴.1.55μm偏振不灵敏光放大器结构材料的生长,半导体光电,2003,24(4):274-275 |
| Palavras-Chave | #光电子学 |
| Tipo |
期刊论文 |
