GaN基蓝光半导体激光器的发展
| Data(s) |
2003
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|---|---|
| Resumo |
文章介绍了下一代光存储用半导体激光器--GaN蓝光激光器的发展状况．对衬底材料的发展现状、外延片的生长技术以及激光器的制作工艺都作了论述．阐明了GaN激光器的一些技术路线，如GaN同质生长衬底的发展，侧向外延生长技术的采用以及湿法腐蚀腔面等．另外还介绍了GaN半导体激光器数字多功能光盘(DVD)的实用化进程． 文章介绍了下一代光存储用半导体激光器--GaN蓝光激光器的发展状况．对衬底材料的发展现状、外延片的生长技术以及激光器的制作工艺都作了论述．阐明了GaN激光器的一些技术路线，如GaN同质生长衬底的发展，侧向外延生长技术的采用以及湿法腐蚀腔面等．另外还介绍了GaN半导体激光器数字多功能光盘(DVD)的实用化进程． 于2010-11-23批量导入 zhangdi于2010-11-23 13:06:54导入数据到SEMI-IR的IR Made available in DSpace on 2010-11-23T05:06:55Z (GMT). No. of bitstreams: 1 4854.pdf: 266407 bytes, checksum: 4016db2244687a4aa5411302fc58901d (MD5) Previous issue date: 2003 国家科技部“八六三”计划材料领域光电子主题基金(批准号 中国科学院半导体研究所 国家科技部“八六三”计划材料领域光电子主题基金(批准号 |
| Identificador | |
| Idioma(s) |
中文 |
| Fonte |
陈良惠;叶晓军;种明.GaN基蓝光半导体激光器的发展,物理,2003,32(5):302-308 |
| Palavras-Chave | #光电子学 |
| Tipo |
期刊论文 |
