自组织生长单层InAs量子点结构中浸润层与量子点发光的时间分辨谱研究
| Data(s) |
2003
|
|---|---|
| Resumo |
在GaAs(100)的衬底上，采用MBE自组织方法生长了单层层厚分别为2和2．5ML的InAs层。通过原子力显微镜(AFM)观察，证实已在InAs层中形成量子点。采用光致发光谱及时间分辨谱对InAs量子点及浸润层开展研究和对比，分析了单层InAs量子点和浸润层中的载流子迁移过程，较好地解释了实验结果。 在GaAs(100)的衬底上，采用MBE自组织方法生长了单层层厚分别为2和2．5ML的InAs层。通过原子力显微镜(AFM)观察，证实已在InAs层中形成量子点。采用光致发光谱及时间分辨谱对InAs量子点及浸润层开展研究和对比，分析了单层InAs量子点和浸润层中的载流子迁移过程，较好地解释了实验结果。 于2010-11-23批量导入 zhangdi于2010-11-23 13:06:56导入数据到SEMI-IR的IR Made available in DSpace on 2010-11-23T05:06:56Z (GMT). No. of bitstreams: 1 4858.pdf: 356828 bytes, checksum: c925c1621d62d599d6836b0345e873cb (MD5) Previous issue date: 2003 厦门大学物理系;中国半导体所 |
| Identificador | |
| Idioma(s) |
中文 |
| Fonte |
陈主荣;吴正云;牛智川;孔令民;蔡加法.自组织生长单层InAs量子点结构中浸润层与量子点发光的时间分辨谱研究,量子电子学报,2003,20(2):208-212 |
| Palavras-Chave | #半导体材料 |
| Tipo |
期刊论文 |
