GaAs/Si/AlAs异质结的带阶和GaAS生长温度的影响
| Data(s) |
2003
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| Resumo |
用分子束外延（MBE）设备制备了GaAs/AlAs和GaAs/Si/AlAs异质结，通过XPS分别研究了异质结界面处Si层厚度为0.5ML和1ML对异质结带阶的调节，得到最大调节量为0.2eV;通过C－V法研究了异质结的GaAs层在不同温度下生长对0.5MLSi夹层的影响，得到Si夹层的空间分布随GaAs层生长温度的升高而扩散增强的温度效应，通过深能级瞬态谱（DLTLS）研究了在上述不同温度下生长的GaAs层的晶体质量。 用分子束外延（MBE）设备制备了GaAs/AlAs和GaAs/Si/AlAs异质结，通过XPS分别研究了异质结界面处Si层厚度为0.5ML和1ML对异质结带阶的调节，得到最大调节量为0.2eV;通过C－V法研究了异质结的GaAs层在不同温度下生长对0.5MLSi夹层的影响，得到Si夹层的空间分布随GaAs层生长温度的升高而扩散增强的温度效应，通过深能级瞬态谱（DLTLS）研究了在上述不同温度下生长的GaAs层的晶体质量。 于2010-11-23批量导入 zhangdi于2010-11-23 13:06:52导入数据到SEMI-IR的IR Made available in DSpace on 2010-11-23T05:06:52Z (GMT). No. of bitstreams: 1 4846.pdf: 219348 bytes, checksum: 828284df6b370a8c114b82f2688cf4ae (MD5) Previous issue date: 2003 国家自然科学基金（批准号 北京师范大学物理系;中国科学院半导体研究所;北京师范大学分析测试中心 国家自然科学基金（批准号 |
| Identificador | |
| Idioma(s) |
中文 |
| Fonte |
李永平;澜清;吴正龙;周大勇;孔云川;牛智川;田强;杨锡震;王亚非.GaAs/Si/AlAs异质结的带阶和GaAS生长温度的影响,半导体学报,2003,24(2):168-172 |
| Palavras-Chave | #半导体材料 |
| Tipo |
期刊论文 |
