ECR Plasma CVD淀积光电器件介质膜的工艺模拟

于2010-11-23批量导入

1.08μm InAs/GaAs量子点激光器光学特性研究

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垂直腔面发射激光器的研究开发现状及其应用

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MOVPE生长InGaN/GaN单量子阱绿光LED

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P型GaN和AlGaN外延材料的制备

研究了MOVPE方法外延P型GaN和Al0.13 Ga0.87N的生长工艺，包括掺杂剂量和热退火条件，对材料电学性质的影响。得到了性能优良的P型材料，并研制了InGaN/AlGaN双异质结蓝光发光二极管。

高迁移率AlGaN-GaN二维电子气

国家863计划,国家自然科学基金

InGaN/AlGaN双异质结蓝光和绿光发光二极管

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量子点激光器及其应用研究

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低阈值红光垂直腔面发射激光器

国家863计划,国家自然科学基金

由浅离子注入实现的MQW混合

用浅P~+离子注入InGaAs/InGaAsP应变多量子阱(MQW)激光器结构,经H_2/N_2混合气氛下的快速退火,体内MQW层发生组份混合,导致器件的带隙波长蓝移,结构的光荧光(PL)峰值波长向短波方向移动了76 nm。

缀饰激子在半导体微腔中的辐射

建立了半导体微腔的缀饰激子模型。在VCSEL器件量子阱中的激子首先通过内电磁场与腔耦合,形成缀饰态。而后作为多粒子过程,缀饰激子与腔内真空场耦合产生辐射。通过QED方法,得到偶极子辐射密度方程和系统能量衰变方程。

微光电子集成灵巧象素器件

采用MBE生长出大周期GaAs/AlGaAs多量子阱外延材料，研制了适用于倒装焊结构的自电光效应器件列阵，并与Si CMOS电路通过倒装焊工艺集成为微光电子集成灵巧象素器件。通过对光电特性测试表明，器件具有良好的光探测和光调制性能。

MOCVD生长碳掺杂GaAs/AlGaAs大功率半导体激光器

利用低压金属有机金属化合物汽相淀积方法,以液态CCl_4为掺杂源生长了高质量C掺杂GaAs/AlGaAs材料,并对生长机理、材料特性以及C掺杂对大功率半导体激光器的影响进行了分析。在材料研究的基础上生长了以C为P型掺杂剂的GaAs/AlGaAs/InGaAs应变量子阱半导体激光器结构,置备了高性能980 nm大功率半导体激光器。

GaAs/AlGaAs谐振腔增强型光探测器的实现及其特性研究

报导GaAs/AlGaAs谐振腔增强型(RCE)光探测器的实验研究结果,并对器件的特性进行了理论分析。通过实验验证了RCE器件谐振腔两个镜面的反射率随着波长的变化以及器件分层结构折射率差二者对器件性能的影响,并证明了分析理论的正确性。

量子阱光电子器件的发展与中国光电子器件产业的形成

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