缀饰激子在半导体微腔中的辐射
| Data(s) |
2000
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|---|---|
| Resumo |
建立了半导体微腔的缀饰激子模型。在VCSEL器件量子阱中的激子首先通过内电磁场与腔耦合,形成缀饰态。而后作为多粒子过程,缀饰激子与腔内真空场耦合产生辐射。通过QED方法,得到偶极子辐射密度方程和系统能量衰变方程。 国家自然科学基金,国家863计划,国家863计划 |
| Identificador | |
| Idioma(s) |
中文 |
| Fonte |
刘世安;林世鸣;康学军;张光斌;程澎;王启明.缀饰激子在半导体微腔中的辐射,光电子·激光,2000,11(3):221 |
| Palavras-Chave | #光电子学 |
| Tipo |
期刊论文 |
