渐变掩蔽图形超低压选择区域生长法制备高质量InGaAsP多量子阱材料

采用超低压（22mbar）选择区域生长（Selective Area Growth，SAG）金属有机化学汽相沉积（Metal-organic Chemical Vapor Deposition，MOCVD）技术成功制备了高质量InGaAsP／InGaAsP多量子阱（Multiple Quantum Well，MQW）材料．在较小的掩蔽宽度变化范围内（15—30μm），得到了46nm的光荧光（Photoluminescence，PL）波长偏移量，PL半高宽（Full-Width-at-Half-Maximum，FWHM）小于30meV．为了保证选择区域内的MQWs材料的均匀性，我们采用了新型的渐变掩蔽图形，并且运用这种新型渐变掩蔽图形，研究了渐变区域的过渡效应对材料生长的影响．我们还观察到，渐变区域的能量偏调量随着掩蔽图形宽度与渐变区域长度比值的增大而出现饱和现象．

用于平面光波导的控温模块的设计与制作

研制了一种用于平面光波导（PLC）的控温模块。该模块采用比例微分积分（PID）控制回路控温，针对PLC控温特点，采用了优化模块的导热与散热，调整控温电路中的PID参数并采用H桥电流输出等方案对整个控温模块进行了优化设计。该模块体积小，长宽高分别为7cm×6cm×4cm；控温面积为3cm×3cm，适用于大尺寸的PLC芯片；控温范围广，从0～70℃；控温速率快、精度高，能将温度稳定到土0．15℃内。

二维荷电粒子维格纳晶格:边界效应

采用一种非线性的优化方法，研究了处于硬壁限制势下二维带电多粒子系统的基态，分析不同形状边界对系统基态构型的影响．由于圆形边界对称性高，基态结构和抛物限制势下情况相似．在正方形边界下，当系统粒子数N〈66时，荷电粒子形成方形晶格；当N≥66时，由于边界影响被削弱，内层粒子形成六角维格纳晶格．进一步分析了椭圆和矩形边界对维格纳晶格的影响．

高频大功率SiGe／SiHBT的设计

详细地阐述了高频大功率SiGe／Si异质结双极晶体管（HBT）设计中的一些主要问题，主要包括器件的纵向设计中发射区、基区以及收集区中掺杂浓度、形貌分布、层厚的选择以及横向布局设计中的条宽、间隔的选择等。并对这些主要参数的选择给出了一些实用的建议。

具有非均匀渐变界面DBR的光学特性分析

应用特征矩阵法研究了非均匀渐变界面Al_(0.9)Ga_(0.1)As/AlyGa_(1-y)As/GaAs/Al_xGa_(1-x)As DBR的光学特性.建立了非均匀渐变界面AlyGa1-yAs的折射率模型，并得到了渐变界面特征矩阵的解析解，通过特征矩阵法分别计算了突变GaAs/Al_(0.9)Ga_(0.1)As DBR和渐变DBR的反射谱和反射相移，分析了非均匀渐变层对DBR光学特性的影响，对渐变DBR，需要在DBR前面再增加一定厚度的非均匀渐变相位匹配层才能使整个DBR满足中心波长相位匹配条件，并通过光学厚度近似方法求出相位匹配层厚度.

正常及光感受器损伤兔眼视网膜下芯片植人后的电生理结果

目的 观察视网膜下芯片所引起的光感受器损伤及正常兔眼的电生理改变。方法 青紫蓝兔共30只，其中22只兔NaIO_3生理盐水溶液静脉注人后眼光感受器受到损伤。将一个由90个微光电二极管组成的阵列和相连电极构成的直径约3 mm的芯片通过巩膜切口植人4只正常及22只注药后光感受器损伤兔右眼的视网膜下腔或脉络膜中,左眼为对照眼;分别检测芯片眼及对照眼局部闪光视觉诱发电位（F-VEP)、局部闪光视网膜电图(F-ERG)、全视野闪光VEP及全视野闪光ERG.另外4只兔双眼摘作病理检查。结果 22只色光感受器损伤兔中有11只芯片眼的局部ERG主波振幅明显大于对照眼；4只正常兔中，2只芯片眼的局部ERG主波振幅大于对照眼。1只芯片眼表面视网膜出现破孔不能引出任何波。局部VEP及全视野闪光VEP重复性较差，全视野闪光ERG未见明确差别。结论 植人的芯片在受到光刺激后可刺激局部视网膜并引起局部视网膜的电活动。

基于共振隧穿二极管的集成电路研究

RTD基集成电路所具有的超高速、低功耗和自锁存的特性，使其在数字电路、混合信号电路以及光电子系统中有着重要的应用。首先对RTD与化合物半导体HEMT，HBT以及硅CMOS器件的集成工艺进行了介绍。在MOBILE电路及其进和延伸的基础上，对高速ADC/DAC电路和低功耗的存储器电路进行了具体的分析。最后对RTD基电路面临的主要问题和挑战进行了讨论，提出基于硅基RTD与线性阈值门(LTG)逻辑相结合是未来纳米级超大规模集成电路的最佳发展方向.

SOI基可变光学衰减器的回波损耗研究

采用倾斜3.4°抛光SOI波导端面和在波导端面镀TiO2减反膜的方法,使SOI基动态可调光学衰减器的插入损耗减小了1.6 dB,而且回波损耗由8 dB提高至57 dB,解决了SOI波导器件回波严重这一实用化过程中的关键问题.利用上述方法研制出了完整封装的SOI基可变光学衰减器样品.

运用解析方法分析量子点的应力应变分布

运用解析方法对量子点的结构进行分析,通过对积分核函数进行计算,可以得到各种量子点结构的应力应变分布. 同时,对常见的金字塔形和圆锥形等量子点的结构进行了具体分析,并且与有限元方法计算得到的结果进行了比较. 结果证明,这种方法能更加普遍地得到量子点结构的应力应变分布,提高了计算速度,可以方便地应用于量子点的电子能级计算.

GaN／AlN组织平顶金字塔量子点的应变场分布

利用有限元法，研究了GaN／AlN自组织量子点材料的应变场分布。量子点模型采用了实验观察到的六角平顶金字塔形状，材料的弹性常数考虑了晶体材料的Wurtzite结构特性。在晶格失配处理上，采用了三维各项异性伪热膨胀模型。将基于有限元法的计算结果与简化的基于格林函数理论的解析计算结果进行了比较，验证了模型和计算结论的正确性。最后，讨论了各向异性效应对层间量子点垂直对准的影响，指出量子点材料的各向异性效应可以忽略。本文采用的模型没有采用类似解析计算的假设条件，因此在计算精度和可靠性上，要优于格林函数法。

随机生长误差对双腔型平顶法布里-珀罗滤波器的影响

在光网络中平顶滤波器可以有效地提高信道光检测的快速性和准确性。利用两个法布里-珀罗腔间的串联耦合，可以构建出具有半顶透射特性的双腔型法布里-珀罗滤波器。采用传输矩阵的方法，研究了随机生长误差对双腔型平顶滤波器透射特性的影响。模拟分析表明，当两个法布里-珀罗腔的物理厚度差超过一个纳米时，在透射谱中就会出现两个高度不同的透射峰；解释了实测器件的透射谱中的双峰不对称性；用界面起伏的概念解释了实测滤波器带宽大于理论值的原因。理论分析与实验结果取得了较好的一致。

1．55μm低温生长GaAs谐振腔增强型探测器

利用低温（200℃）生长的GaAs材料作为吸收层制备了GaAs基1．55μm谐振腔增强型（RCE）光电探测器，对其光电特性进行了分析、研究．无光照0偏压下探测器暗电流为8．0×10^12A；光电流谱峰值波长1563nm；响应谱线半宽4nm，具有良好的波长选择性．

影响集成电感性能的关键因素

片上集成电感是单片集成射频电路、微波电路及光电集成电路中不可缺少的重要元件。高Q值的片上集成电感是IC工作者追求的目标。衬底损耗和金属损耗一直被认为是限制集成电感品质的主要因素,文中实例为证，在尽量消除衬底损耗和减小金属损耗条件下。得出它们并不是片上集成电感的决定性限制因素。本文从电感的定义出发，得出电感螺旋线之间磁通量的相互抵消是集成电感不能获得高Q值的决定因素。并通过螺旋电感的模拟计算和结合已有的实验，对此论点进行了论证。

用于10Gb／s传输系统的电吸收调制器与分布反馈激光器集成光源

采用超低压（22×10^2Pa）选择区域生长（selective area growth，SAG）金属有机化学气相沉积（metal-organic chemical vapor deposition。MOCVD）技术成功制备了应变型InGaAsP／InGaAsP电吸收调制器（electroabsorption modulator，EAM）与分布反馈激光器（distribute feedback laser，DFB）单片集成光源的新型光电器件．实验结果表明。采用该技术制备的集成器件表现出了良好的性能

40Gb／s甚短距离（VSR）光传输技术

电信局内设备连接的增长使人们迫切需要开发低成本的甚短距离（VSR）光传输技术。传统的400b／S（STM-256／0C-768）接口是为长距离传输设计的，对于传输距离在300m以内的大容量、高速传输场合并不适用，因此有必要寻找一种比现有400b／s短距离方案成本低的替代方案。详细介绍了VSR5—1．0协议。