用于10Gb／s传输系统的电吸收调制器与分布反馈激光器集成光源

采用超低压（22×10^2Pa）选择区域生长（selective area growth，SAG）金属有机化学气相沉积（metal-organic chemical vapor deposition。MOCVD）技术成功制备了应变型InGaAsP／InGaAsP电吸收调制器（electroabsorption modulator，EAM）与分布反馈激光器（distribute feedback laser，DFB）单片集成光源的新型光电器件．实验结果表明。采用该技术制备的集成器件表现出了良好的性能

采用超低压（22×10^2Pa）选择区域生长（selective area growth，SAG）金属有机化学气相沉积（metal-organic chemical vapor deposition。MOCVD）技术成功制备了应变型InGaAsP／InGaAsP电吸收调制器（electroabsorption modulator，EAM）与分布反馈激光器（distribute feedback laser，DFB）单片集成光源的新型光电器件．实验结果表明。采用该技术制备的集成器件表现出了良好的性能

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国家重点基础研究发展规划（973）项目,国家高技术研究发展计划（863）项目

中国科学院半导体研究所

国家重点基础研究发展规划（973）项目,国家高技术研究发展计划（863）项目