基于共振隧穿二极管的集成电路研究
| Data(s) |
2006
|
|---|---|
| Resumo |
RTD基集成电路所具有的超高速、低功耗和自锁存的特性，使其在数字电路、混合信号电路以及光电子系统中有着重要的应用。首先对RTD与化合物半导体HEMT，HBT以及硅CMOS器件的集成工艺进行了介绍。在MOBILE电路及其进和延伸的基础上，对高速ADC/DAC电路和低功耗的存储器电路进行了具体的分析。最后对RTD基电路面临的主要问题和挑战进行了讨论，提出基于硅基RTD与线性阈值门(LTG)逻辑相结合是未来纳米级超大规模集成电路的最佳发展方向. 国家863计划资助 |
| Identificador | |
| Idioma(s) |
中文 |
| Fonte |
马龙;杨富华;王良臣;余洪敏;黄应龙.基于共振隧穿二极管的集成电路研究,电子器件,2006,29(3):627-634 |
| Palavras-Chave | #微电子学 |
| Tipo |
期刊论文 |
