二维荷电粒子维格纳晶格:边界效应


Autoria(s): 张振中; 蒋昌忠; 常凯
Data(s)

2006

Resumo

采用一种非线性的优化方法,研究了处于硬壁限制势下二维带电多粒子系统的基态,分析不同形状边界对系统基态构型的影响.由于圆形边界对称性高,基态结构和抛物限制势下情况相似.在正方形边界下,当系统粒子数N〈66时,荷电粒子形成方形晶格;当N≥66时,由于边界影响被削弱,内层粒子形成六角维格纳晶格.进一步分析了椭圆和矩形边界对维格纳晶格的影响.

国家自然科学基金,863资助项目

Identificador

http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/16573

http://www.irgrid.ac.cn/handle/1471x/102924

Idioma(s)

中文

Fonte

张振中;蒋昌忠;常凯.二维荷电粒子维格纳晶格:边界效应,计算物理,2006,23(4):470-476

Palavras-Chave #半导体物理
Tipo

期刊论文