高频大功率SiGe／SiHBT的设计
| Data(s) |
2006
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|---|---|
| Resumo |
详细地阐述了高频大功率SiGe／Si异质结双极晶体管（HBT）设计中的一些主要问题，主要包括器件的纵向设计中发射区、基区以及收集区中掺杂浓度、形貌分布、层厚的选择以及横向布局设计中的条宽、间隔的选择等。并对这些主要参数的选择给出了一些实用的建议。 详细地阐述了高频大功率SiGe／Si异质结双极晶体管（HBT）设计中的一些主要问题，主要包括器件的纵向设计中发射区、基区以及收集区中掺杂浓度、形貌分布、层厚的选择以及横向布局设计中的条宽、间隔的选择等。并对这些主要参数的选择给出了一些实用的建议。 于2010-11-23批量导入 zhangdi于2010-11-23 13:02:52导入数据到SEMI-IR的IR Made available in DSpace on 2010-11-23T05:02:52Z (GMT). No. of bitstreams: 1 4245.pdf: 663539 bytes, checksum: 7419414a0c1821d7aa207bf13d6d454c (MD5) Previous issue date: 2006 国家“863”计划项目,国家“973”计划项目,国家自然科学基金 中国科学院半导体研究所 国家“863”计划项目,国家“973”计划项目,国家自然科学基金 |
| Identificador | |
| Idioma(s) |
中文 |
| Fonte |
薛春来;成步文;姚飞;王启明.高频大功率SiGe／SiHBT的设计,半导体光电,2006,27(3):271-277 |
| Palavras-Chave | #光电子学 |
| Tipo |
期刊论文 |
