1．55μm低温生长GaAs谐振腔增强型探测器
| Data(s) |
2006
|
|---|---|
| Resumo |
利用低温（200℃）生长的GaAs材料作为吸收层制备了GaAs基1．55μm谐振腔增强型（RCE）光电探测器，对其光电特性进行了分析、研究．无光照0偏压下探测器暗电流为8．0×10^12A；光电流谱峰值波长1563nm；响应谱线半宽4nm，具有良好的波长选择性． 利用低温（200℃）生长的GaAs材料作为吸收层制备了GaAs基1．55μm谐振腔增强型（RCE）光电探测器，对其光电特性进行了分析、研究．无光照0偏压下探测器暗电流为8．0×10^12A；光电流谱峰值波长1563nm；响应谱线半宽4nm，具有良好的波长选择性． 于2010-11-23批量导入 zhangdi于2010-11-23 13:03:10导入数据到SEMI-IR的IR Made available in DSpace on 2010-11-23T05:03:11Z (GMT). No. of bitstreams: 1 4293.pdf: 187809 bytes, checksum: 79c2ea2457dc365ff90144f587dff1cd (MD5) Previous issue date: 2006 国家自然科学基金,国家973计划,863计划资助项目 中国科学院半导体研究所 国家自然科学基金,国家973计划,863计划资助项目 |
| Identificador | |
| Idioma(s) |
中文 |
| Fonte |
韩勤;彭红玲;杜云;倪海桥;赵欢;牛智川;吴荣汉.1．55μm低温生长GaAs谐振腔增强型探测器,光子学报,2006,35(4):549-551 |
| Palavras-Chave | #半导体器件 |
| Tipo |
期刊论文 |
