光学扫描全息术的推广

推广了光学扫描全息术，提出只要某一实时的光场强度分布函数具有如下性质

垂直腔面发射激光器的研究开发现状及其应用

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MOVPE生长InGaN/GaN单量子阱绿光LED

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一种新型的SOI灵敏放大器

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D类数字功率放大器电路失真分析及其负反馈方案讨论

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RF-MBE生长AlGaN/GaN二维电子气材料

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Si（001）衬底上方形3C-SiC岛的LPCVD生长

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氮化H_2-O_2合成薄栅氧抗辐照特性

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硅片发生室温键合所需的平整度条件

根据薄板弹性力学，推导了室温键合过程中硅片接触表面缝隙封闭的临界条件。硅片的表面起伏幅度、起伏的空间波长、表面张力、材料弹性和硅片厚度都是影响接触表面缝隙封闭的重要因素。越薄的硅片越容易室温键合。

强增益耦合 DFB激光器单片集成自对准模式变换器（英文）

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N型6H-SiCMOS电容的电学特性

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ZnO∶Tb纳米晶的制备、结构与发光性质

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直接键合硅片界面键合能的理论分析

直接键合硅片界面的键合能依赖于界面成键的密度，是退火温度和时间的函数，界面反应激活能决定着成键的行为。硅片键合能随退火温度分两步增加,这种现象被归因于界面反应存在两种不同的激活能.将硅本征氧化层与硅热氧化层两种键合界面在退火过程中的行为进行了理论分析与比较.硅本征氧化层的键合能随温度的增加要比热氧化层界面的大。键合能的饱和时间与激活能密切相关。

Si_（1-x-y）Ge_xC_y三元系材料的应变补偿特性

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CMOS/SOI64Kb静态随机存储器

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