直接键合硅片界面键合能的理论分析
Data(s) |
2001
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Resumo |
直接键合硅片界面的键合能依赖于界面成键的密度,是退火温度和时间的函数,界面反应激活能决定着成键的行为。硅片键合能随退火温度分两步增加,这种现象被归因于界面反应存在两种不同的激活能.将硅本征氧化层与硅热氧化层两种键合界面在退火过程中的行为进行了理论分析与比较.硅本征氧化层的键合能随温度的增加要比热氧化层界面的大。键合能的饱和时间与激活能密切相关。 直接键合硅片界面的键合能依赖于界面成键的密度,是退火温度和时间的函数,界面反应激活能决定着成键的行为。硅片键合能随退火温度分两步增加,这种现象被归因于界面反应存在两种不同的激活能.将硅本征氧化层与硅热氧化层两种键合界面在退火过程中的行为进行了理论分析与比较.硅本征氧化层的键合能随温度的增加要比热氧化层界面的大。键合能的饱和时间与激活能密切相关。 于2010-11-23批量导入 zhangdi于2010-11-23 13:10:34导入数据到SEMI-IR的IR Made available in DSpace on 2010-11-23T05:10:35Z (GMT). No. of bitstreams: 1 5407.pdf: 311416 bytes, checksum: 7554e03dc45d2893fe815a773d0d06e2 (MD5) Previous issue date: 2001 国家973计划,国家自然科学基金 中科院半导体所 国家973计划,国家自然科学基金 |
Identificador | |
Idioma(s) |
中文 |
Fonte |
韩伟华;余金中;王启明.直接键合硅片界面键合能的理论分析,半导体学报,2001,22(2):140 |
Palavras-Chave | #光电子学 |
Tipo |
期刊论文 |