直接键合硅片界面键合能的理论分析


Autoria(s): 韩伟华; 余金中; 王启明
Data(s)

2001

Resumo

直接键合硅片界面的键合能依赖于界面成键的密度,是退火温度和时间的函数,界面反应激活能决定着成键的行为。硅片键合能随退火温度分两步增加,这种现象被归因于界面反应存在两种不同的激活能.将硅本征氧化层与硅热氧化层两种键合界面在退火过程中的行为进行了理论分析与比较.硅本征氧化层的键合能随温度的增加要比热氧化层界面的大。键合能的饱和时间与激活能密切相关。

直接键合硅片界面的键合能依赖于界面成键的密度,是退火温度和时间的函数,界面反应激活能决定着成键的行为。硅片键合能随退火温度分两步增加,这种现象被归因于界面反应存在两种不同的激活能.将硅本征氧化层与硅热氧化层两种键合界面在退火过程中的行为进行了理论分析与比较.硅本征氧化层的键合能随温度的增加要比热氧化层界面的大。键合能的饱和时间与激活能密切相关。

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国家973计划,国家自然科学基金

中科院半导体所

国家973计划,国家自然科学基金

Identificador

http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/18719

http://www.irgrid.ac.cn/handle/1471x/103997

Idioma(s)

中文

Fonte

韩伟华;余金中;王启明.直接键合硅片界面键合能的理论分析,半导体学报,2001,22(2):140

Palavras-Chave #光电子学
Tipo

期刊论文