氮化H_2-O_2合成薄栅氧抗辐照特性
| Data(s) |
2001
|
|---|---|
| Resumo |
于2010-11-23批量导入 zhangdi于2010-11-23 13:10:18导入数据到SEMI-IR的IR Made available in DSpace on 2010-11-23T05:10:18Z (GMT). No. of bitstreams: 1 5350.pdf: 275281 bytes, checksum: ca5d16df64e914c9979f8ba3737b8388 (MD5) Previous issue date: 2001 中科院微电子中心;中科院半导体所 |
| Identificador | |
| Idioma(s) |
中文 |
| Fonte |
刘新宇;刘运龙;孙海锋;海潮和;吴德馨;和致经;刘忠立.氮化H_2-O_2合成薄栅氧抗辐照特性,半导体学报,2001,22(12):1596 |
| Palavras-Chave | #微电子学 |
| Tipo |
期刊论文 |
