硅片发生室温键合所需的平整度条件
| Data(s) |
2001
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|---|---|
| Resumo |
根据薄板弹性力学，推导了室温键合过程中硅片接触表面缝隙封闭的临界条件。硅片的表面起伏幅度、起伏的空间波长、表面张力、材料弹性和硅片厚度都是影响接触表面缝隙封闭的重要因素。越薄的硅片越容易室温键合。 根据薄板弹性力学，推导了室温键合过程中硅片接触表面缝隙封闭的临界条件。硅片的表面起伏幅度、起伏的空间波长、表面张力、材料弹性和硅片厚度都是影响接触表面缝隙封闭的重要因素。越薄的硅片越容易室温键合。 于2010-11-23批量导入 zhangdi于2010-11-23 13:10:19导入数据到SEMI-IR的IR Made available in DSpace on 2010-11-23T05:10:19Z (GMT). No. of bitstreams: 1 5354.pdf: 248106 bytes, checksum: f83fbc8abdccf7e3d31981fbfb68ab46 (MD5) Previous issue date: 2001 国家973计划,国家自然科学基金 中科院半导体所 国家973计划,国家自然科学基金 |
| Identificador | |
| Idioma(s) |
中文 |
| Fonte |
韩伟华;余金中.硅片发生室温键合所需的平整度条件,半导体学报,2001,22(12):1516 |
| Palavras-Chave | #光电子学 |
| Tipo |
期刊论文 |
